特許

J-GLOBAL ID：201303050790229903

窒化物単結晶のアニール処理方法

発明者： 藤澤 英夫 ,  三川 豊 ,  鎌田 和典 ,  川端 紳一郎 ,  長岡 裕文 ,  小島 厚彦
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-218275
公開番号（公開出願番号）：特開2013-079187
出願日： 2012年09月28日
公開日（公表日）： 2013年05月02日
要約：

【課題】アモノサーマル法で結晶成長した場合であっても、低抵抗で移動度が高い窒化物単結晶を簡便な方法で製造できるようにすること。【解決手段】超臨界状態及び/又は亜臨界状態の窒素を含有する溶媒の存在下で結晶成長した窒化物単結晶を750°C以上で5.5時間以上アニール処理する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

超臨界状態及び/又は亜臨界状態の窒素を含有する溶媒の存在下で結晶成長した窒化物単結晶を750°C以上で5.5時間以上アニール処理する、窒化物単結晶のアニール処理方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 33/02

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  C30B33/02

Fターム (12件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE15 ,  4G077CB04 ,  4G077FE05 ,  4G077FE11 ,  4G077FG01 ,  4G077FG05 ,  4G077FG11 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077KA03

引用特許：

出願人引用 (5件)

• バルク単結晶ガリウム含有窒化物の製造方法及びそれにより得られるバルク単結晶ガリウム含有窒化物基板並びにその基板上に製造されるデバイス.
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-140785   出願人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン
• 窒化ガリウム結晶、ホモエピタキシャル窒化ガリウムを基材とするデバイス、及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-565702   出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
• n型III族窒化物系化合物半導体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-123494   出願人：豊田合成株式会社, 日本碍子株式会社, 国立大学法人大阪大学
• III族元素窒化物結晶の製造方法、それにより得られるIII族元素窒化物結晶、ならびにそれを含む半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-377072   出願人：松下電器産業株式会社
• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-345191   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (5件)

• バルク単結晶ガリウム含有窒化物の製造方法及びそれにより得られるバルク単結晶ガリウム含有窒化物基板並びにその基板上に製造されるデバイス.
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-140785   出願人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン
• 窒化ガリウム結晶、ホモエピタキシャル窒化ガリウムを基材とするデバイス、及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-565702   出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
• n型III族窒化物系化合物半導体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-123494   出願人：豊田合成株式会社, 日本碍子株式会社, 国立大学法人大阪大学
• III族元素窒化物結晶の製造方法、それにより得られるIII族元素窒化物結晶、ならびにそれを含む半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-377072   出願人：松下電器産業株式会社
• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-345191   出願人：株式会社東芝