特許
J-GLOBAL ID:201303052390444182
成膜方法及び成膜装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
浅井 章弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-117561
公開番号(公開出願番号):特開2013-219380
出願日: 2013年06月04日
公開日(公表日): 2013年10月24日
要約:
【課題】Mn含有膜やCuMn含有合金膜等を、CVD等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができ、しかも、同一の処理装置で連続的な処理を行うようにして装置コストを大幅に低減化することができる成膜方法を提供する。【解決手段】真空引き可能になされた処理容器14内で、遷移金属を含む遷移金属含有原料ガスと酸素含有ガスとにより被処理体Wの表面に、熱処理により薄膜を形成する。これにより、例えばMn含有膜やCuMn含有合金膜等を、CVD等の熱処理によって形成する際に、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことが可能となる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
真空引き可能になされた処理容器内で、遷移金属を含む遷移金属含有原料ガスと酸素含有ガスとにより被処理体の表面に、熱処理により薄膜を形成するようにしたことを特徴とする成膜方法。
IPC (6件):
H01L 21/285
, H01L 21/28
, H01L 21/320
, H01L 21/768
, H01L 23/532
, C23C 16/52
FI (5件):
H01L21/285 C
, H01L21/28 301R
, H01L21/88 M
, H01L21/90 A
, C23C16/52
Fターム (93件):
4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030BA01
, 4K030BA02
, 4K030BA06
, 4K030BA09
, 4K030BA13
, 4K030BA14
, 4K030BA16
, 4K030BA18
, 4K030BA19
, 4K030BA22
, 4K030BB12
, 4K030CA12
, 4K030DA02
, 4K030DA04
, 4K030DA09
, 4K030EA01
, 4K030FA01
, 4K030FA10
, 4K030FA14
, 4K030GA02
, 4K030JA01
, 4K030JA06
, 4K030JA09
, 4K030JA11
, 4K030JA20
, 4K030KA24
, 4K030KA28
, 4K030KA41
, 4K030LA15
, 4M104BB04
, 4M104BB36
, 4M104BB39
, 4M104DD15
, 4M104DD16
, 4M104DD17
, 4M104DD34
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104DD44
, 4M104DD45
, 4M104DD52
, 4M104DD53
, 4M104DD78
, 4M104DD83
, 4M104DD88
, 4M104EE14
, 4M104EE16
, 4M104FF18
, 4M104FF22
, 4M104FF23
, 4M104HH13
, 4M104HH20
, 5F033HH12
, 5F033HH35
, 5F033JJ12
, 5F033JJ35
, 5F033LL02
, 5F033MM02
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN05
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP01
, 5F033PP02
, 5F033PP06
, 5F033PP10
, 5F033PP11
, 5F033PP12
, 5F033PP15
, 5F033PP19
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033QQ09
, 5F033QQ13
, 5F033QQ14
, 5F033QQ31
, 5F033QQ73
, 5F033QQ76
, 5F033QQ92
, 5F033RR01
, 5F033RR03
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR11
, 5F033RR21
, 5F033RR29
, 5F033SS26
, 5F033WW00
, 5F033XX02
, 5F033XX34
引用特許:
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