特許
J-GLOBAL ID：201303052991434141

気相成長方法及び気相成長装置

発明者：
財津 弘毅

財津 弘毅 について

, 
佐藤 裕輔

佐藤 裕輔 について


出願人/特許権者：
株式会社ニューフレアテクノロジー

株式会社ニューフレアテクノロジー について


代理人 (1件)： 特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-189353
公開番号（公開出願番号）：特開2013-051350
出願日： 2011年08月31日
公開日（公表日）： 2013年03月14日
要約：
【課題】反応室内に堆積した反応生成物をエッチングにより除去する際、エッチング終点を正確に検出し、反応室内のダメージを抑え、歩留り、生産性を向上させることが可能な気相成長方法及び気相成長装置を提供する。【解決手段】反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、支持部の下方に設けられたヒータにより加熱し、ウェーハが所定温度となるようにヒータの出力を制御し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜し、反応室よりウェーハを搬出し、反応室内にエッチングガスを供給して、反応室内に堆積した反応生成物をエッチングにより除去し、ヒータの出力が所定量に制御されるときの支持部上の温度である第1の温度の変動、又は第1の温度が所定温度となるように制御されるヒータの出力の変動に基づき、エッチング終点を検出する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、 前記支持部の下方に設けられたヒータにより加熱し、前記ウェーハが所定温度となるように前記ヒータの出力を制御し、 前記ウェーハを回転させ、前記ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、前記ウェーハ上に成膜し、 前記反応室より前記ウェーハを搬出し、 前記反応室内にエッチングガスを供給して、前記反応室内に堆積した反応生成物をエッチングにより除去し、 前記ヒータの出力が所定量に制御されるときの前記支持部上の温度である第1の温度の変動、又は前記第1の温度が所定温度となるように制御される前記ヒータの出力の変動に基づき、エッチング終点を検出することを特徴とする気相成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/44
FI (3件)：
H01L21/205 ,  H01L21/31 B ,  C23C16/44 J
Fターム (19件)：
4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  5F045AA01 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AC13 ,  5F045AD15 ,  5F045AE29 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045EB06 ,  5F045EF05 ,  5F045EK07 ,  5F045GB05
引用特許：
審査官引用 (5件)
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