酸化ニッケルを含むゲートを有する半導体デバイス及びその作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：辻居幸一 , 熊倉禎男 , 大塚文昭 , 西島孝喜 , 須田洋之 , 上杉浩
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-510130
公開番号（公開出願番号）：特表2013-529384
出願日： 2011年05月03日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
要約：

本発明は、バンドギャップの大きい半導体層と該バンドギャップの大きい半導体層上のゲートとを含むショットキー障壁半導体デバイスを提供する。ゲートは、バンドギャップの大きい半導体層上の、酸化ニッケル(NiO)層を含む金属層を含む。また、本発明は、デバイスを作製する関連方法を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ショットキー障壁半導体デバイスであって、バンドギャップの大きい半導体層と、前記バンドギャップの大きい半導体層上のゲートと、を備え、前記ゲートは、前記バンドギャップの大きい半導体層上の金属層を備え、前記金属層は、酸化ニッケル(NiO)層を含む、デバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (3件)：

H01L29/80 M , H01L29/80 H , H01L29/48 M

Fターム (25件)：

4M104AA04 , 4M104AA10 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC03 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD42 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GL02 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GS01 , 5F102GV07 , 5F102GV08

引用特許：

審査官引用 (7件)

電界効果半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-073603 出願人：サンケン電気株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-175243 出願人：日本電気株式会社
化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-007966 出願人：富士通株式会社, ユーディナデバイス株式会社

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