特許
J-GLOBAL ID：201303056197651192
シリコン単結晶インゴットの育成方法およびそれを用いたシリコンウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-083882
公開番号（公開出願番号）：特開2000-272997
特許番号：特許第4750916号
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 チョクラルスキー法によってシリコン単結晶インゴットを育成する方法において、
単結晶インゴット中に窒素が1×1012atoms/cm3〜5×1015atoms/cm3の濃度でドープされ、
育成された単結晶インゴットからウェーハを切り出して高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥領域からなる単結晶インゴットが得られる引き上げ速度を維持したまま引き上げ長さ方向に酸化誘起積層欠陥領域を連続的に育成することを特徴とするシリコン単結晶インゴットの育成方法。
IPC (4件)：
C30B 29/06 ( 200 6.01)
, C30B 15/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/324 ( 200 6.01)
, H01L 21/66 ( 200 6.01)
C30B 29/06 502 K
, C30B 15/00 Z
, H01L 21/324 T
, H01L 21/324 X
, H01L 21/66 Q
