特許
J-GLOBAL ID：201303060500311992
磁気ランダムアクセスメモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-106718
公開番号（公開出願番号）：特開2013-191873
出願日： 2013年05月21日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：
【課題】MRAMにおけるリファレンスセルの初期設定が不要となる技術を提供すること。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリ10は、メモリセルMCと、データ読み出し時にリファレンスレベルを生成するために参照されるリファレンスセルRCとを備える。メモリセルMCは、抵抗値が第1値と第2値の間で切り換わる第1磁気抵抗素子200を含む。一方、リファレンスセルRCは、抵抗値が第1値と第2値の間の第3値に固定された第2磁気抵抗素子250を含む。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
抵抗値が第1値と第2値の間で切り換わる第1磁気抵抗素子を含むメモリセルと、
前記メモリセルからのデータ読み出し時にリファレンスレベルを生成するために参照されるリファレンスセルと
を備え、
前記リファレンスセルは、抵抗値が前記第1値と前記第2値の間の第3値に固定された第2磁気抵抗素子を含み、
前記第1磁気抵抗素子は、
磁化方向が固定された第1磁化固定層と、
磁化方向が前記第1磁化固定層の磁化方向と平行あるいは反平行となる磁化反転領域を少なくとも含む第1磁化自由層と、
前記第1磁化固定層と前記磁化反転領域に挟まれた第1非磁性層と
を有し、
前記第2磁気抵抗素子は、
磁化方向が第1方向である磁化領域を少なくとも含む第2磁化自由層と、
磁化方向が前記第1方向と直交する第2方向に固定された第2磁化固定層と、
前記第2磁化固定層と前記磁化領域に挟まれた第2非磁性層と
を有する
磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (4件)：
H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 29/82
, H01L 43/08
H01L27/10 447
, H01L29/82 Z
, H01L43/08 Z
4M119AA11
, 4M119AA19
, 4M119BB01
, 4M119CC02
, 4M119CC05
, 4M119CC10
, 4M119DD17
, 4M119DD25
, 4M119EE04
, 4M119HH13
, 4M119KK12
, 5F092AB08
, 5F092AC12
, 5F092AD25
, 5F092AD26
, 5F092BB22
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB42
, 5F092BC03
, 5F092BC04
