特許

J-GLOBAL ID：201303064203408826

磁気積層体設計

発明者： シー,ハイウェン ,  クエール,アントワーヌ ,  リー,ブライアン ,  ライアン,パトリック ,  ジン,インシク ,  アンダーソン,ポール
出願人/特許権者： シーゲイト テクノロジー エルエルシー ,  タン,マイケル
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-141583
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243378
出願日： 2013年07月05日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：

【課題】切換用電流の低減を容易にする磁気積層体を提供する。【解決手段】磁気積層体30は、磁化の向きを切換えることができる自由層32と、磁化の向きが固定された基準層34と、これらの間にあるバリア層33とを有する。自由層32、基準層34、およびバリア層33は各々中心を有し、この積層体30は、自由層32から電気的に分離されるとともに基準層34と物理的に接触する環状反強磁性ピニング層35を含む。また、基準層34は自由層32よりも大きい。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

磁気積層体であって、 磁化の向きを切換えることができる強磁性自由層と、磁化の向きが固定された強磁性基準層と、これらの間にあるバリア層とを備え、前記自由層、基準層、およびバリア層は各々中心を有し、 中心を有する環状反強磁性ピニング層を備え、前記ピニング層の中心は、前記自由層、基準層、およびバリア層各々の中心と概ね整列し、前記ピニング層は、前記自由層から電気的に分離されるとともに前記基準層と物理的に接触する、磁気積層体。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  H01L 29/82 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11B 5/39

FI (4件)：

H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11B5/39

Fターム (41件)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD24 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119JJ15 ,  5D034BA02 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BA15 ,  5D034BA21 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5F092AA01 ,  5F092AB02 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB18 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB81 ,  5F092BB82 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC42 ,  5F092BC43 ,  5F092CA20

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 磁気トンネル接合素子およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-199432   出願人：マグアイシーテクノロジーズインコーポレイテッド
• 磁気抵抗素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-260240   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗素子および磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-016930   出願人：株式会社東芝
• 磁気メモリの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-085564   出願人：シャープ株式会社
• 磁気抵抗素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-056165   出願人：株式会社東芝