特許
J-GLOBAL ID：200903049256580602

磁気トンネル接合素子およびその形成方法

発明者：
洪 成宗

洪 成宗 について

, 
童 茹瑛

童 茹瑛 について


出願人/特許権者：
マグアイシー テクノロジーズ インコーポレイテッド

マグアイシー テクノロジーズ インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-199432
公開番号（公開出願番号）：特開2008-034857
出願日： 2007年07月31日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：
【課題】 高いMR比と良好なRA値とを達成可能な低磁化キャップ層を備えた磁気トンネル接合素子を提供する。【解決手段】 MRAMセル構造36は、NiFeまたはCoFeB/NiFe層からなるフリー層50の上に形成された低磁化のNiFeHfインナー層51と、Taからなる中間層52と、Ruからなるアウター層53とを積層してなる低磁化のキャップ層54を備える。NiFeHfインナー層51は、例えば、NiFeターゲットおよびHfターゲットを、それぞれ400W,200Wのパワーで同時並行スパッタすることで形成される。Hf含有量を高めると、NiFeHfインナー層51の酸素吸着能力が向上する。また、膜厚調整により、MR比、RA値および磁歪の値を変化させ得る。フリー層50上にNiFeHfインナー層51を設けることで、フリー層50とキャップ層54との格子整合を改善でき、デッド層を抑制できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
磁気デバイスの上部導電層と下部導電層との間に設けられた磁気トンネル接合(MTJ)素子であって、 フリー層の上に形成された低磁化NiFeHf(ニッケル鉄ハフニウム)層を含んで構成された複合キャップ層を備えた ことを特徴とする磁気トンネル接合素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11B 5/39
FI (5件)：
H01L43/08 H ,  H01L43/10 ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11B5/39
Fターム (49件)：
4M119AA15 ,  4M119BB01 ,  4M119DD06 ,  4M119DD08 ,  4M119DD09 ,  4M119DD25 ,  4M119DD42 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ09 ,  4M119JJ13 ,  5D034BA03 ,  5D034BA06 ,  5D034CA06 ,  5D034DA07 ,  5F092AA02 ,  5F092AA20 ,  5F092AB03 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB04 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC11 ,  5F092BC13 ,  5F092BC22 ,  5F092BC42 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092BE27 ,  5F092CA02 ,  5F092CA08 ,  5F092CA23 ,  5F092CA25 ,  5F092GA05
引用特許：
出願人引用 (22件)
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審査官引用 (13件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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