ダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-139301
公開番号（公開出願番号）：特開2013-008779
出願日： 2011年06月23日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
要約：

【課題】絶縁トレンチとバリア領域を備えたダイオードにおいて、リカバリ特性を改善すること。【解決手段】ダイオード10は、p型のアノード領域27と、アノード領域27を貫通している複数の絶縁トレンチ36と、アノード領域27よりも深いとともに絶縁トレンチ36よりも浅い深さに位置するn型のバリア領域26と、バリア領域26よりも深いとともに絶縁トレンチ36よりも浅い深さに位置するp型の電界緩和領域25とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板を用いたダイオードであって、前記半導体基板の表層部に形成されている第2導電型のアノード領域と、前記半導体基板の前記表層部に形成されており、前記アノード領域を貫通している複数の絶縁トレンチと、前記半導体基板の前記表層部に形成されており、前記アノード領域よりも深く、前記絶縁トレンチよりも浅い深さに位置する第1導電型のバリア領域と、前記半導体基板の前記表層部に形成されており、前記バリア領域よりも深く、前記絶縁トレンチよりも浅い深さに位置する第2導電型の電界緩和領域と、を備えているダイオード。

IPC (7件)：

H01L 29/861 , H01L 29/868 , H01L 21/329 , H01L 29/78 , H01L 27/04 , H01L 21/336 , H01L 29/739

FI (9件)：

H01L29/91 D , H01L29/91 K , H01L29/91 B , H01L29/78 653A , H01L29/78 657D , H01L29/78 658A , H01L29/78 652J , H01L29/78 655F , H01L29/78 655D

引用特許：

審査官引用 (6件)

ダイオードとそのダイオードを備えている半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-115564 出願人：トヨタ自動車株式会社
特開平2-066977
高耐圧半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-055030 出願人：株式会社東芝

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