特許
J-GLOBAL ID：201303065136774304
共有センシングMRAMのシステムおよび方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
村山 靖彦
, 黒田 晋平
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-528276
公開番号（公開出願番号）：特表2013-542544
出願日： 2011年09月08日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：
MRAMアレイの抵抗メモリセルが、基準セルとして指定され、バイナリ0状態およびバイナリ1状態にプログラムされ、あるMRAMアレイにおけるバイナリ0およびバイナリ1の基準セルが同時にアクセスされて、別のMRAMアレイの抵抗メモリセルを読み取るための基準電圧が得られ、他のMRAMアレイにおけるバイナリ0およびバイナリ1の基準セルが同時にアクセスされて、上記のあるMRAMアレイの抵抗メモリセルを読み取るための基準電圧が得られる。
請求項（抜粋）：
複数の抵抗変化型メモリセルを有する抵抗変化型メモリと、
基準ノードと、
第1の2つ以上の前記抵抗変化型メモリセルを前記基準ノードに結合する第1の読取りモードと第2の2つ以上の前記抵抗変化型メモリセルを前記基準ノードに結合する第2の読取りモードとを選択的に切り替えるように構成された読取りモードスイッチ回路とを備える磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C11/15 150
, G06F12/00 597Z
