特許
J-GLOBAL ID：201303070014351236

半導体装置の製造方法

発明者：
田村 直義

田村 直義 について

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西ヶ谷 啓太

西ヶ谷 啓太 について

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堀 充明

堀 充明 について

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川村 宏枝

川村 宏枝 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-016282
公開番号（公開出願番号）：特開2013-157425
出願日： 2012年01月30日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：
【課題】シリコン基板表面の原子レベルの平坦性を改善して半導体装置の特性を向上しうる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板を、第1の雰囲気中において第1の温度で熱処理し、シリコン基板の表面の酸化膜を除去する第1のステップと、第1のステップの後、水素を含む第2の雰囲気中において第1の温度よりも低い第2の温度で熱処理を行い、シリコン基板の表面を水素終端する第2のステップとを含む熱処理工程を行う。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
シリコン基板を、第1の雰囲気中において第1の温度で熱処理し、前記シリコン基板の表面の酸化膜を除去する第1のステップと、前記第1のステップの後、水素を含む第2の雰囲気中において前記第1の温度よりも低い第2の温度で熱処理を行い、前記シリコン基板の前記表面を水素終端する第2のステップとを含む熱処理工程を有する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/324 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  C30B 29/06 ,  C30B 33/02
FI (4件)：
H01L21/324 X ,  H01L29/78 301Y ,  C30B29/06 B ,  C30B33/02
Fターム (31件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077FE05 ,  4G077FE12 ,  4G077HA12 ,  5F140AA00 ,  5F140BA20 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH36 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CE05 ,  5F140CE07
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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