パターン形成方法及びレジスト組成物

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-004657
公開番号（公開出願番号）：特開2013-145255
出願日： 2012年01月13日
公開日（公表日）： 2013年07月25日
要約：

【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物及び酸発生剤又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位を有する高分子化合物と、フルオロアルキルスルホンアミドのスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。【効果】本発明のフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物及び酸発生剤、又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位を有する高分子化合物と、フルオロアルキルスルホンアミドのスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/038 , G03F 7/004 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F7/038 601 , G03F7/004 503A , H01L21/30 502R

Fターム (53件)：

2H125AF17P , 2H125AF18P , 2H125AF27P , 2H125AF34P , 2H125AF38P , 2H125AF41P , 2H125AF43P , 2H125AF45P , 2H125AF53P , 2H125AH04 , 2H125AH05 , 2H125AH11 , 2H125AH12 , 2H125AH13 , 2H125AH16 , 2H125AH19 , 2H125AH22 , 2H125AH23 , 2H125AH24 , 2H125AH25 , 2H125AH29 , 2H125AJ02Y , 2H125AJ12X , 2H125AJ12Y , 2H125AJ14X , 2H125AJ23Y , 2H125AJ64X , 2H125AJ65X , 2H125AJ65Y , 2H125AJ69X , 2H125AJ74Y , 2H125AJ84X , 2H125AJ84Y , 2H125AJ88X , 2H125AJ89X , 2H125AJ92Y , 2H125AJ95Y , 2H125AM22P , 2H125AM99P , 2H125AN11P , 2H125AN31P , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN63P , 2H125BA01P , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC01 , 2H125CC15 , 2H125FA01 , 2H125FA03 , 2H125FA05

引用特許：

審査官引用 (7件)

レジスト組成物、レジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-274073 出願人：東京応化工業株式会社
レジスト組成物、レジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-033630 出願人：東京応化工業株式会社
ネガ型現像用レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-083799 出願人：東京応化工業株式会社

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