特許
J-GLOBAL ID:201203090416332525
ネガ型現像用レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 五十嵐 光永
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-083799
公開番号(公開出願番号):特開2012-220572
出願日: 2011年04月05日
公開日(公表日): 2012年11月12日
要約:
【課題】リソグラフィー特性に優れたネガ型現像用レジスト組成物、及び該ネガ型現像用レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物であって、前記酸発生剤成分(B)が、logP値が2.7以下であり、且つ、pKaが-3.5以上である酸を発生する酸発生剤(B1)を含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物であって、
前記酸発生剤成分(B)が、logP値が2.7以下であり、且つ、pKaが-3.5以上である酸を発生する酸発生剤(B1)を含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。
IPC (5件):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, G03F 7/038
, H01L 21/027
, C08F 20/26
FI (5件):
G03F7/039 601
, G03F7/004 503A
, G03F7/038 601
, H01L21/30 502R
, C08F20/26
Fターム (65件):
2H125AF16P
, 2H125AF17P
, 2H125AF18P
, 2H125AF33P
, 2H125AF35P
, 2H125AF36P
, 2H125AF38P
, 2H125AF41P
, 2H125AF45P
, 2H125AF70P
, 2H125AH05
, 2H125AH12
, 2H125AH16
, 2H125AH17
, 2H125AH23
, 2H125AH24
, 2H125AH29
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ18X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ69X
, 2H125AL03
, 2H125AL11
, 2H125AN02P
, 2H125AN21P
, 2H125AN63P
, 2H125AN75P
, 2H125BA26P
, 2H125BA28P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC01
, 2H125CC15
, 2H125CD05P
, 2H125CD07P
, 2H125CD35
, 2H125FA03
, 2H125FA05
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100AL08T
, 4J100BA02T
, 4J100BA03R
, 4J100BA11P
, 4J100BA11Q
, 4J100BA15P
, 4J100BA22S
, 4J100BC09P
, 4J100BC09R
, 4J100BC09S
, 4J100BC09T
, 4J100BC53Q
, 4J100BC84P
, 4J100CA03
, 4J100CA06
, 4J100DA01
, 4J100DA04
, 4J100DA05
, 4J100DA36
, 4J100DA47
, 4J100FA03
, 4J100FA27
, 4J100JA38
引用特許:
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