有機電界発光表示装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：アイ・ピー・ディー国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-066297
公開番号（公開出願番号）：特開2013-138028
出願日： 2013年03月27日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
要約：

【課題】酸化物半導体の電気的特性変化を防止できる有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を含む上部に第1絶縁層を形成し、ゲート電極を含む第1絶縁層上に酸化物半導体で活性層を形成し、活性層を含む上部に第2絶縁層を形成し、第2絶縁層上に活性層と連結されるソース電極及びドレイン電極を形成し、ソース電極及びドレイン電極を含む上部に有機物で第3絶縁層を形成し、第3絶縁層をパターニングしてソース電極又はドレイン電極を露出させ、洗浄し、第3絶縁層上にソース電極又はドレイン電極と連結され、活性層と重ならないように配置されるアノード電極を形成し、アノード電極を含む上部に画素定義膜を形成した後、発光領域のアノード電極を露出させ、露出したアノード電極上に有機発光層を形成し、有機発光層上にカソード電極を形成する、有機電界発光表示装置の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を含む上部に第1絶縁層を形成する段階と、前記ゲート電極を含む前記第1絶縁層上に酸化物半導体で活性層を形成する段階と、前記活性層を含む上部に第2絶縁層を形成する段階と、前記第2絶縁層上に前記活性層と連結されるソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース電極及びドレイン電極を含む上部に有機物で第3絶縁層を形成する段階と、前記第3絶縁層をパターニングして前記ソース電極又はドレイン電極を露出させる段階と、洗浄する段階と、前記第3絶縁層上に前記ソース電極又はドレイン電極と連結され、前記活性層と重ならないように配置されるアノード電極を形成する段階と、前記アノード電極を含む上部に画素定義膜を形成した後、発光領域の前記アノード電極を露出させる段階と、露出した前記アノード電極上に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層上にカソード電極を形成する段階とを含む、有機電界発光表示装置の製造方法。

IPC (7件)：

H05B 33/10 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H05B 33/08 , H01L 51/50 , H05B 33/12 , H05B 33/22

FI (8件)：

H05B33/10 , H01L29/78 618B , H01L29/78 612Z , H01L29/78 619A , H05B33/08 , H05B33/14 A , H05B33/12 B , H05B33/22 Z

Fターム (33件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC21 , 3K107CC31 , 3K107CC42 , 3K107CC45 , 3K107DD89 , 3K107DD91 , 3K107DD96 , 3K107EE04 , 3K107GG22 , 3K107GG26 , 3K107GG28 , 5F110AA01 , 5F110AA14 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110GG01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HL07 , 5F110NN03 , 5F110NN27 , 5F110NN71

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置、表示装置及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-277514 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
有機ELディスプレイとその製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-355758 出願人：キヤノン株式会社, 三菱電機株式会社
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-304812 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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