特許
J-GLOBAL ID:201303072332283994
半導体メモリ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
古谷 史旺
, 森 俊秀
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-207581
公開番号(公開出願番号):特開2003-022673
特許番号:特許第4727073号
出願日: 2001年07月09日
公開日(公表日): 2003年01月24日
請求項(抜粋):
【請求項1】 メモリ動作を指示するコマンド信号を、チップの選択を指示するチップセレクト信号の活性化時に受け付け、内部コマンド信号として出力するコマンドバッファと、
前記内部コマンド信号が有効であることを識別したときに、外部クロック信号に同期して第1内部クロック信号を生成する第1クロック発生回路と、
前記第1内部クロック信号に同期して前記内部コマンド信号を取り込むコマンドラッチ回路とを備えていることを特徴とする半導体メモリ。
IPC (3件):
G11C 11/407 ( 200 6.01)
, G11C 11/4093 ( 200 6.01)
, G11C 11/403 ( 200 6.01)
FI (3件):
G11C 11/34 362 S
, G11C 11/34 354 P
, G11C 11/34 371 J
引用特許:
審査官引用 (8件)
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-077952
出願人:富士通株式会社
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同期式半導体記憶装置、及びその入力情報のラッチ制御方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-266889
出願人:富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
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メモリ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-354057
出願人:富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
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同期型半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-092246
出願人:富士通株式会社
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同期型半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-213950
出願人:三菱電機株式会社
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-327916
出願人:富士通株式会社
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同期型半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-020173
出願人:富士通株式会社
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半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-110851
出願人:富士通株式会社
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