特許
J-GLOBAL ID：201303072418106483
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-165782
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359191
特許番号：特許第4860055号
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁表面上に非晶質構造を有する第1の半導体膜を形成し、
前記第1の半導体膜に結晶化を促進する触媒作用を有する金属元素を添加し、
前記金属元素が添加された第1の半導体膜を加熱処理した後、第1のレーザー光を照射して、結晶構造を有する第1の半導体膜と、前記結晶構造を有する第1の半導体膜に接する第1の酸化膜とを形成し、
前記金属元素をゲッタリングして、前記結晶構造を有する第1の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減し、
前記第1の酸化膜を除去し、
不活性気体雰囲気または真空中で第2のレーザー光を照射して、前記結晶構造を有する第1の半導体膜の表面を平坦化し、
前記平坦化された第1の半導体膜に接して、非晶質構造を有する第2の半導体膜を形成し、
前記第2の半導体膜に前記金属元素を添加し、
前記金属元素が添加された第2の半導体膜を加熱処理した後、第3のレーザー光を照射して、結晶構造を有する第2の半導体膜と、前記結晶構造を有する第2の半導体膜に接する第2の酸化膜とを形成し、
前記金属元素をゲッタリングして、前記結晶構造を有する第2の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減し、
前記第2の酸化膜を除去し、
不活性気体雰囲気または真空中で第4のレーザー光を照射して、前記結晶構造を有する第2の半導体膜の表面を平坦化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 21/20
, H01L 29/78 627 A
, H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 627 Z
, H01L 29/78 618 E
