多結晶シリコン膜の作製方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-371427
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195793
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】オフ電流が小さく、電界効果移動度の大きなTFTの製造に適した多結晶シリコン膜の作製方法を提供する。【解決手段】基板の表面上に、核形成前駆物質を含むアモルファス状態のシリコン膜を形成する。シリコン膜にエネルギを加えて結晶化させる。シリコン膜の表面上に、核形成前駆物質に対してゲッタリング作用を示すゲッタリング層を形成する。シリコン膜中の核形成前駆物質を、ゲッタリング層内に吸収する。核形成前駆物質を吸収したゲッタリング層を除去する。

請求項（抜粋）：

基板の表面上に、核形成前駆物質を含むアモルファス状態のシリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜にエネルギを加えて結晶化させる工程と、前記シリコン膜の表面上に、前記核形成前駆物質に対してゲッタリング作用を示すゲッタリング層を形成する工程と、前記シリコン膜中の前記核形成前駆物質を、前記ゲッタリング層内に吸収するゲッタリング工程と、前記核形成前駆物質を吸収した前記ゲッタリング層を除去する工程とを有するシリコン膜の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/322 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/322 R , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 Z

Fターム (42件)：

5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052BB07 , 5F052CA02 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052EA02 , 5F052EA11 , 5F052HA01 , 5F052HA07 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP38 , 5F110QQ11 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (8件)

結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-271223 出願人：富士通株式会社
半導体薄膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-032872 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
研磨剤、研磨方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-351341 出願人：富士通株式会社, 三井金属鉱業株式会社

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