半導体薄膜とその半導体膜を用いた液晶表示装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-198359
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023899
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】レーザ結晶化技術により、表面が平坦でかつ結晶粒径の大きな結晶性半導体を安価なガラス基板上に作製する。【解決手段】ガラス基板上に絶縁膜の成膜,一層目の半導体膜の成膜,レーザ光を弱いエネルギーから強いものへと段階的に照射する一層目の半導体膜の結晶化,一層目よりも薄い二層目半導体の成膜,レーザ光を弱いエネルギーから強いものへと段階的に照射する二層目半導体薄膜のレーザ結晶化、の一連の工程を大気にさらすことなく連続的に行う。【効果】表面が平坦でかつ結晶粒径の大きな、高品質結晶性半導体を製造できた。

請求項（抜粋）：

レーザ結晶化法によって作製された結晶性半導体薄膜において、ガラス基板上に作製され、膜厚が40nm以上100nm未満でかつ表面の平均粗さが5nm以下でかつ平均結晶粒径が500nm以上であることを特徴とする半導体薄膜。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1365 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 31/04

FI (5件)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 618 Z , H01L 29/78 627 G , H01L 31/04 X

Fターム (78件)：

2H092HA28 , 2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JB67 , 2H092KA04 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA19 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 2H092PA11 , 5F051AA03 , 5F051BA05 , 5F051CA36 , 5F051CB14 , 5F051CB15 , 5F051CB21 , 5F051CB24 , 5F051GA01 , 5F051GA12 , 5F052AA02 , 5F052AA12 , 5F052BA02 , 5F052BA14 , 5F052BA18 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052CA08 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DA10 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052HA01 , 5F052HA03 , 5F052JA01 , 5F052JA09 , 5F110AA18 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD24 , 5F110EE04 , 5F110EE38 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL06 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP07 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-122056 出願人：シャープ株式会社
半導体素子のための緩衝化基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-148652 出願人：ゼロックスコーポレイション
特開平3-292719

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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