特許

J-GLOBAL ID：201303074045391983

ハロゲン化タンタル前駆物質からの熱的CVD TaNフイルムのプラズマ処理

発明者： ホータラ、ジョン、ジェイ ,  ウェステンドープ、ジョウハニーズ、エフ、エム
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス、 インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  安藤 克則 ,  池田 幸弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-613854
特許番号：特許第4919535号
出願日： 2000年04月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 300から500°Cの範囲の温度にある半導体装置基体(23)上に窒化タンタル(TaNx)フイルムを蒸着する方法において、五フッ化タンタル及び五塩化タンタルからなる群より選ばれるハロゲン化タンタル前駆物質の蒸気を、その前駆物質を気化するのに充分な温度へ前記前駆物質を加熱することにより、前記基体(23)の入った反応室(11)へ与え、次に前記蒸気を、NH3から本質的になる処理ガス、又はNH3と、水素、アルゴン、ヘリウム、及びN2からなる群より選ばれる少なくとも1種とから本質的になる処理ガスと一緒にし、熱的化学蒸着(CVD)法により前記基体上にTaNxを蒸着し、然る後、前記蒸着したTaNxを水素含有ガスでプラズマ処理することを包含する蒸着法。

IPC (2件)：

C23C 16/34 ( 200 6.01) ,  H01L 21/285 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C23C 16/34 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体ウエハ上への膜の構築
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-218886   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 薄膜作製方法および薄膜作製装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-229392   出願人：アネルバ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-081194   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開平3-104871
  
• バリア膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-225711   出願人：日本真空技術株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Tantalum nitride films grown by inorganic low temperature thermal chemical vapor deposition