特許

J-GLOBAL ID：201303075922966379

磁気抵抗素子及びそれを用いた磁気メモリ

発明者： 永沼 博 ,  モハメド ナズルル イスラム カーン ,  井波 暢人 ,  大兼 幹彦 ,  安藤 康夫
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (1件)： 平山 一幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-029944
公開番号（公開出願番号）：特開2013-168455
出願日： 2012年02月14日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
要約：

【課題】垂直磁気異方性、規則度、平坦性に優れた自由層を有している磁気抵抗素子及びそれを用いた磁気メモリを提供する。【解決手段】磁気抵抗素子1は、自由層3と、自由層3上に配設される格子歪緩和層4と、格子歪緩和層4上に配設されるトンネル絶縁層5と、トンネル絶縁層5上に配設される固定層6と、を少なくとも備え、自由層3はL10規則合金からなり、かつ自由層3の面内の垂直方向に磁化し、格子歪緩和層4は、自由層3とトンネル絶縁層5との間に生じる格子歪を緩和する。格子歪緩和層4は、強磁性のアモルファス層や結晶層とすることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

自由層と、該自由層上に配設される格子歪緩和層と、該格子歪緩和層上に配設されるトンネル絶縁層と、該トンネル絶縁層上に配設される固定層と、を少なくとも備え、 上記自由層はL10規則合金からなり、かつ該自由層の面内の垂直方向に磁化し、 上記格子歪緩和層は、上記自由層と上記トンネル絶縁層との間に生じる格子歪を緩和する、磁気抵抗素子。

IPC (8件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/32 ,  G11B 5/39

FI (7件)：

H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  H01F10/14 ,  H01F10/32 ,  G11B5/39

Fターム (48件)：

4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD15 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119JJ09 ,  5D034BA05 ,  5D034BA09 ,  5D034BA15 ,  5D034BA21 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AC05 ,  5E049BA30 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB14 ,  5E049GC01 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB05 ,  5F092BB10 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BC03 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BE02 ,  5F092BE03 ,  5F092BE06 ,  5F092BE12 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE27 ,  5F092CA25

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-084939   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-082741   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-250283   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗素子および磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-079633   出願人：株式会社東芝, 国立大学法人東北大学
• 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-084938   出願人：株式会社東芝