配線の形成方法、電子素子、および表示装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：舘野千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-259215
公開番号（公開出願番号）：特開2013-115192
出願日： 2011年11月28日
公開日（公表日）： 2013年06月10日
要約：

【課題】物理的な版を必要とせず、微細な導電パターンを形成でき、パターン変更に対して柔軟に対応できる配線の形成方法を提供する。【解決手段】本発明では、基板上に、エネルギー付与によって臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程と、前記濡れ性変化層に選択的にレーザ光を照射して、前記濡れ性変化層の臨界表面張力が高くなるように変化させた高表面エネルギー領域部を前記濡れ性変化層に形成する工程と、前記高表面エネルギー領域部に導電性インクを塗布し、前記高表面エネルギー領域部上に配線を形成する工程と、を有し、前記濡れ性変化層と前記高表面エネルギー領域部とには段差がなく、前記配線は前記高表面エネルギー領域部上に形成されていることを特徴とする配線の形成方法が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、エネルギー付与によって臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程と、前記濡れ性変化層に選択的に紫外線領域のレーザ光を照射して、前記濡れ性変化層の臨界表面張力が高くなるように変化させた高表面エネルギー領域部を前記濡れ性変化層に形成する工程と、前記高表面エネルギー領域部に導電性インクを塗布し、前記高表面エネルギー領域部上に配線を形成する工程と、を有し、前記濡れ性変化層と前記高表面エネルギー領域部とには段差がなく、前記配線は前記高表面エネルギー領域部上に形成されていることを特徴とする配線の形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , G09F 9/30 , H01L 21/768 , H01L 21/320 , H01L 21/288 , H01L 21/28

FI (9件)：

H01L29/78 617J , G09F9/30 338 , H01L21/88 B , H01L21/288 Z , H01L21/28 A , H01L29/78 627C , H01L29/78 616K , H01L29/78 626C , H01L29/78 612C

Fターム (94件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD22 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104HH14 , 4M104HH20 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094DA13 , 5C094FB01 , 5C094FB04 , 5C094FB12 , 5C094GB10 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH00 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033KK03 , 5F033PP26 , 5F033QQ52 , 5F033QQ73 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR24 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX03 , 5F033XX33 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE42 , 5F110EE47 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK41 , 5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (6件)

配線パターンの形成方法、トランジスタ素子基板並びに表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-127736 出願人：株式会社リコー
電子素子、電子素子の製造方法、表示装置及び演算装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-229274 出願人：株式会社リコー
積層構造体、電子素子、電子素子アレイ及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-187629 出願人：株式会社リコー

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