特許
J-GLOBAL ID：201303081348168612

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
田中 聡

田中 聡 について

, 
梁 吉鎬

梁 吉鎬 について


出願人/特許権者：
スタンレー電気株式会社

スタンレー電気株式会社 について


代理人 (3件)： 高橋 敬四郎 ,  鵜飼 伸一 ,  足立 能啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-024736
公開番号（公開出願番号）：特開2013-162057
出願日： 2012年02月08日
公開日（公表日）： 2013年08月19日
要約：
【課題】 Agのマイグレーションを抑制して、半導体発光素子の信頼性を向上させる。【解決手段】 半導体発光素子は、第1導電型の第1半導体層と、該第1半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第2導電型の第2半導体層とを含む半導体積層と、前記第2半導体層上に形成される第1透明導電膜と、前記第1透明導電膜上に、所定間隔を隔てて形成される内周部と外周部とを有する第2透明導電膜と、前記第2透明導電膜の内周部の内側の領域の前記第2半導体層上に形成され、前記第2透明導電膜の膜厚以下の膜厚を有する光反射層と、前記第2透明導電膜及び前記光反射層を被覆する接合層と、前記第1半導体層に接して形成される配線電極とを有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体層と、該第1半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第2導電型の第2半導体層とを含む半導体積層と、 前記第2半導体層上に形成される第1透明導電膜と、 前記第1透明導電膜上に、所定間隔を隔てて形成される内周部と外周部とを有する第2透明導電膜と、 前記第2透明導電膜の内周部の内側の領域の前記第2半導体層上に形成され、前記第2透明導電膜の膜厚以下の膜厚を有する光反射層と、 前記第2透明導電膜及び前記光反射層を被覆する接合層と、 前記第1半導体層に接して形成される配線電極と を有する半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/38
FI (1件)：
H01L33/00 210
Fターム (20件)：
5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15 ,  5F141AA43 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA74 ,  5F141CA77 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CA93 ,  5F141CB15
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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