特許
J-GLOBAL ID：200903059916559798
窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高村 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-101560
公開番号（公開出願番号）：特開2006-313888
出願日： 2006年04月03日
公開日（公表日）： 2006年11月16日
要約：
【課題】動作電圧を下げ且つ電流分散効果を向上させ、銀のような反射物質によって電流が漏れる現象を最小限に抑えられる窒化物系半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】n型電極と、前記n型電極に接するように形成されているn型窒化物半導体層120と、前記n型窒化物半導体層上に形成されている活性層130と、前記活性層上に形成されているp型窒化物半導体層140と、前記p型窒化物半導体層上に形成されているアンドープGaN層210と、前記アンドープGaN層上に形成され、該アンドープGaN層との接合界面に2次元電子ガス層を提供するAlGaN層220と、前記AlGaN層上に形成されている反射層150と、前記反射層を取り囲む形状に形成されている障壁層300と、前記障壁層上に形成されているp型電極170を含む窒化物系半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
n型電極と、
前記n型電極に接するように形成されているn型窒化物半導体層と、
前記n型窒化物半導体層上に形成されている活性層と、
前記活性層上に形成されているp型窒化物半導体層と、
前記p型窒化物半導体層上に形成されているアンドープGaN層と、
前記アンドープGaN層上に形成され、該アンドープGaN層との接合界面に2次元電子ガス層を提供するAlGaN層と、
前記AlGaN層上に形成されている反射層と、
前記反射層を取り囲む形状に形成されている障壁層と、
前記障壁層上に形成されているp型電極
含むことを特徴とする、窒化物系半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (19件)：
5F041AA21
, 5F041AA41
, 5F041AA43
, 5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA08
, 5F041CA12
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA54
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA77
, 5F041CA84
, 5F041CA88
, 5F041CB02
, 5F041CB04
, 5F041CB15
審査官引用 (11件)
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発光半導体の方法及び装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-071027
出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
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窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-277959
出願人：日亜化学工業株式会社
-
窒化物系発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-261354
出願人：三星電子株式会社, 光州科學技術院
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引用文献：
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