特許
J-GLOBAL ID：200903070824787062

電極及びそれを有するIII族窒化物系化合物半導体発光素子

発明者：
小澤 隆弘

小澤 隆弘 について

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冨田 一義

冨田 一義 について

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上村 俊也

上村 俊也 について

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堀内 茂美

堀内 茂美 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について

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豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-024969
公開番号（公開出願番号）：特開2008-192782
出願日： 2007年02月05日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
【課題】III族窒化物系化合物半導体発光素子の電極中の銀のマイグレーションの抑制。【解決手段】サファイア等の誘電体基板10に、n型AlxGayIn1-x-yN層11、発光層12、p型AlxGayIn1-x-yN層13を形成する。この後、n型AlxGayIn1-x-yN層11をエッチング等により露出させ、n電極30を形成する。正電極側は、p型層13の上に、ITOから成る透光性電極層21、銀合金から成る反射電極層22、TiとPtを積層した拡散防止層23、金から成る厚膜電極24を順に積層する。銀合金から成る反射電極層22は、パラジウム(Pd)と銅(Cu)を添加し、酸素(O)を含む。これにより、銀合金から成る反射電極層22からのマイグレーションを抑制した上、下層のITOから成る透光性電極層21との界面での黒化を防止でき、光取り出し効率が向上する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
p型のIII族窒化物系化合物半導体層に形成された正電極であって、 透光性電極層と、 銀又は銀を主成分とする合金から成る反射電極層と、 銀の上層への拡散を防止し、導電性である拡散防止層と、 金又は金を主成分とする合金から成る厚膜層とを、 この順に積層した構成を有することを特徴とする電極。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28
FI (3件)：
H01L33/00 E ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R
Fターム (23件)：
4M104AA04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG04 ,  4M104HH01 ,  4M104HH02 ,  5F041AA21 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA83 ,  5F041CA86 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041CB11
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特開2006- 41403公報
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-057875   出願人：日亜化学工業株式会社
審査官引用 (6件)
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