特許
J-GLOBAL ID：201303081978850810
電流検出回路および半導体集積回路装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 サトー国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-277164
公開番号（公開出願番号）：特開2013-127709
出願日： 2011年12月19日
公開日（公表日）： 2013年06月27日
要約：
【課題】誘導起電圧または誘導電流に応じて生じやすい過電圧や過電流から保護しながら電流検出できるようにした電流検出回路、および、この電流検出回路が組み込まれた半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】トランジスタQ8とQ12がカレントミラー接続されているため、トランジスタQ8のコレクタ電流とほぼ同一電流をトランジスタQ12のコレクタ電流として流すことができる。また、トランジスタQ11とQ9およびQ10がカレントミラー接続されているため、トランジスタQ11のコレクタ電流と同一電流をトランジスタQ9およびQ10のコレクタ電流として流すことができる。すると、トランジスタQ7にトランジスタQ8のコレクタ電流と同じコレクタ電流を流すことができ、トランジスタQ7およびQ8のコレクタ-エミッタ間電圧をほぼ同一電圧に制御できる。検出回路SがI/V変換回路の出力センス信号電圧Vsを検出することで主トランジスタQ1のコレクタ電流を推定できる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
第1端子および第2端子の少なくとも2端子を備え、前記第2端子が電圧基準ノードとなり前記第1端子および前記第2端子間に第1電流が流れる第1回路と、
第3端子および第4端子の少なくとも2端子を備え、前記第4端子が電圧基準ノードとなり前記第1回路の第2端子と共通接続された第2回路とを備え、
前記第1回路の電圧降下が前記第2回路の電圧降下と同一の電圧降下を生じるときに、前記第1回路の前記第1端子および第2端子間に流れる第1電流が前記第2回路の前記第3端子および第4端子間に流れる第2電流に比例した電流量となり、
前記第2回路の第2電流の量に応じて前記第1回路の第1端子および第2端子間の印加電圧を前記第2回路の第3端子および第4端子間の印加電圧とほぼ同一電圧とするように前記第1回路に通電する第1電流を制御する電流制御回路と、
前記第1回路の第1電流もしくは前記第2回路の第2電流を検出する検出回路と、を備え、
前記第1端子と前記第3端子の間に流れる電流を検出することを特徴とする電流検出回路。
IPC (4件)：
G05F 3/26
, H02M 3/155
, H02M 1/00
, G01R 19/00
G05F3/26
, H02M3/155 H
, H02M1/00 H
, G01R19/00 B
2G035AA15
, 2G035AB02
, 2G035AC02
, 2G035AD02
, 2G035AD04
, 2G035AD05
, 2G035AD13
, 2G035AD18
, 2G035AD20
, 2G035AD44
, 2G035AD56
, 5H420NB02
, 5H420NB24
, 5H420NC02
, 5H420NC12
, 5H730AA04
, 5H730AS13
, 5H730BB14
, 5H730DD03
, 5H730DD04
, 5H730FD51
, 5H740AA08
, 5H740BA13
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740MM11
