特許
J-GLOBAL ID：201303083004721625

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
福井 勇貴

福井 勇貴 について

, 
加藤 浩朗

加藤 浩朗 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 速水 進治 ,  天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-128896
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256718
出願日： 2011年06月09日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：
【課題】縦型トランジスタの特性にばらつきが生じることを抑制する。【解決手段】半導体基板100には縦型MOSトランジスタ20が形成されている。半導体基板100の表面上には、第1層間絶縁膜300及び第1ソース配線312が形成されている。第1ソース配線312は、第1層間絶縁膜300上に形成されており、平面視で縦型MOSトランジスタ20と重なっている。第1層間絶縁膜300にはコンタクト302が埋め込まれている。コンタクト302は、縦型MOSトランジスタ20のn型ソース層140と第1ソース配線312とを接続している。そして第1ソース配線312には、複数の開口316が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板に形成され、前記半導体基板の一面側にゲート電極及びソース層を有し、前記半導体基板の他面側にドレイン層を有する縦型トランジスタと、 前記半導体基板の前記一面上に形成された第1層間絶縁膜と、 前記第1層間絶縁膜上に形成され、平面視で前記縦型トランジスタと重なっており、複数の開口を有する第1ソース配線と、 前記第1ソース配線を前記縦型トランジスタの前記ソース層に接続するコンタクトと、 を備える半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 29/78 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/322
FI (12件)：
H01L29/78 652M ,  H01L29/78 656D ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658Z ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/08 102D ,  H01L21/88 A ,  H01L21/28 B ,  H01L29/44 P ,  H01L21/322 Z
Fターム (75件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104CC05 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD79 ,  4M104DD86 ,  4M104FF02 ,  4M104FF11 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18 ,  4M104HH01 ,  4M104HH20 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033MM22 ,  5F033MM28 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033SS11 ,  5F033SS27 ,  5F033UU04 ,  5F033VV06 ,  5F033VV07 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033XX00 ,  5F033XX05 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AB03 ,  5F048AC06 ,  5F048BA01 ,  5F048BA02 ,  5F048BB01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB19 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BD09 ,  5F048BE09 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048CB02 ,  5F048CB07
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-142389   出願人：三洋電機株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-218324   出願人：株式会社デンソー
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-281355   出願人：日本電気株式会社
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