特許
J-GLOBAL ID：201203078344977410

半導体装置

発明者：
鈴木 久満

鈴木 久満 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 速水 進治 ,  天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-066410
公開番号（公開出願番号）：特開2012-054530
出願日： 2011年03月24日
公開日（公表日）： 2012年03月15日
要約：
【課題】2つのトランジスタを混載した半導体装置において、ダミー配線を介して配線間で短絡が発生するのを防止し、信頼性の高い混載デバイスを実現可能にする。【解決手段】本発明の半導体装置は、微細CMOS4Aと、微細CMOS4Aに接続される微細配線15とを有する微細CMOS領域と、微細CMOS4Aよりも耐圧が高い高耐圧デバイス4Bと、高耐圧デバイス4Bに接続され、平面視において微細配線15よりも配線幅が広いドレイン配線115及びソース配線116と、を有する高耐圧デバイス領域と、を具備し、高耐圧デバイス領域には、電気的に孤立したダミー配線14が少なくともドレイン配線115及びソース配線116に隣接して配置されない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第一のトランジスタと、 前記第一のトランジスタに接続される第一の配線と、 を有する第一領域と、 前記第一のトランジスタよりも耐圧が高い第二のトランジスタと、 前記第二のトランジスタに接続され、平面視において前記第一の配線よりも配線幅が広い第二の配線と、 を有する第二領域と、 を具備し、 前記第二領域には、電気的に孤立したダミー配線が少なくとも前記第二の配線に隣接して配置されない、半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/088 ,  H01L 21/823 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320
FI (2件)：
H01L27/08 102D ,  H01L21/88 S
Fターム (51件)：
5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH27 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK27 ,  5F033MM01 ,  5F033MM07 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM21 ,  5F033MM29 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033SS15 ,  5F033UU04 ,  5F033VV01 ,  5F033VV06 ,  5F033XX01 ,  5F033XX31 ,  5F048AA07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC06 ,  5F048BA01 ,  5F048BA12 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BC03 ,  5F048BD04 ,  5F048BE09 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23
引用特許：
審査官引用 (11件)
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-207585   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-150431   出願人：株式会社デンソー
  • 半導体装置及び半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-015909   出願人：パナソニック株式会社
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