半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：緒方保人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-113619
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243166
出願日： 2012年05月17日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：

【課題】半導体素子の電極表面にアルミニウム材を用いることができ、またこのアルミニウム層を無駄に厚く形成する必要もなく、線径に関係なく銅線を半導体素子電極へ強固に接合し、高耐熱化を図る。【解決手段】パワー半導体素子10の基板に炭化珪素(SiC)を用い、この炭化珪素基板の上に、電極15として、チタン層20とアルミニウム層21を形成し、超音波振動を与えながら、上記電極15のアルミニウム層21に対して銅線16をボールボンディング又はウエッジボンディングすることにより、銅線16とチタン層20との間に、銅-アルミニウム化合物(Al4Cu9、AlCu等)23を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子の電極表面にアルミニウム層を形成し、この電極に銅線をワイヤボンディングする半導体装置において、上記銅線と上記電極のアルミニウム下層の金属との間に、銅-アルミニウム化合物を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/60 , H01L 21/607 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (5件)：

H01L21/60 301P , H01L21/607 B , H01L21/60 301F , H01L21/60 301D , H01L21/88 T

Fターム (19件)：

5F033GG00 , 5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH18 , 5F033MM05 , 5F033RR22 , 5F033VV07 , 5F033XX12 , 5F044AA01 , 5F044AA14 , 5F044EE04 , 5F044EE06 , 5F044EE13 , 5F044EE21 , 5F044FF06

引用特許：

審査官引用 (6件)

Cuボンディングワイヤ
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-145884 出願人：住友金属鉱山株式会社
半導体用銅ボンディングワイヤとその接合構造
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-021971 出願人：新日鉄マテリアルズ株式会社, 株式会社日鉄マイクロメタル
特開昭62-265729

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