パワー半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：緒方保人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-033266
公開番号（公開出願番号）：特開2013-171878
出願日： 2012年02月17日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
要約：

【課題】接合材として半田を使用することなく、音響機器用では音質の向上を図り、またボイド発生、部材酸化又は接合部の厚みの不均一等による接合強度のバラツキの発生等をなくす。【解決手段】パワー半導体素子10の裏面電極12を金属バンプ14により金属リードフレーム13に接合し、表面電極11を金属リードフレーム13の内部リード部15と金属線16により接続する構成で、上記金属リードフレーム13を無酸素銅、上記金属バンプ14を金、銀、銅等の材料とし、上記表面電極11としてチタン膜の上にアルミニウム膜を形成し、上記金属線16を銅線又はアルミニウム線とする。製造では、金属バンプの接合は超音波振動を用いて行い、パワー半導体素子の表裏面に、回路面接触回避用の弾性体凸部を設けると共に、突上げ針保護用の弾性体凸部を設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表裏面に電極が形成されたパワー半導体素子と、このパワー半導体素子を接合し、かつ放熱板としても機能する金属リードフレームとを設け、この金属リードフレームの一部を放熱のために露出させながら全体を樹脂封止してなるパワー半導体装置において、上記パワー半導体素子の表面電極又は裏面電極、又は上記金属リードフレームに、半田材でない金属の金属バンプを形成し、この金属バンプを介して上記パワー半導体素子と上記金属リードフレームとを接合することを特徴とするパワー半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/34 , H01L 21/60 , H01L 23/48

FI (6件)：

H01L23/34 A , H01L21/60 301B , H01L21/60 311Q , H01L21/92 604J , H01L23/48 S , H01L23/48 T

Fターム (4件)：

5F044AA01 , 5F044KK16 , 5F044KK19 , 5F136DA04

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-019431 出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
特開昭63-148646
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-323694 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

全件表示

前のページに戻る