半導体用銅ボンディングワイヤとその接合構造

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (6件)：牛木護 , 吉田正義 , 今枝弘充 , 梅村裕明 , 小合宗一 , 高橋知之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-021971
公開番号（公開出願番号）：特開2011-159894
出願日： 2010年02月03日
公開日（公表日）： 2011年08月18日
要約：

【課題】本発明は、材料費が安価で、Al電極との接合部の長期信頼性に優れ、車載用LSI用途にも適用できる接合構造、または半導体用銅ボンディングワイヤを提供することを目的とする。【解決手段】銅ボンディングワイヤの先端に形成したボール部をアルミ電極に接合したボール接合部を形成し、銅ボンディングワイヤの先端に形成したボール部をアルミ電極に接合したボール接合部であって、前記ボール接合部を130〜200°Cのいずれかの温度で加熱した後において、前記ボール接合部の断面に有するCuとAlで構成される金属間化合物の厚さに対して、CuAl相の金属間化合物の厚さの割合である相対化合物比率R1が、40%以上100%以下となるものであることを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

銅ボンディングワイヤの先端に形成したボール部をアルミ電極に接合したボール接合部を介して半導体素子の電極に接続される銅ボンディングワイヤの接合構造であって、前記ボール接合部を130〜200°Cのいずれかの温度で加熱した後において、前記ボール接合部の断面におけるCuとAlで構成される金属間化合物の厚さに対して、CuAl相の金属間化合物の厚さの割合である相対化合物比率R1が、50%以上100%以下であることを特徴とする接合構造。

IPC (1件)：

H01L 21/60

FI (2件)：

H01L21/60 301B , H01L21/60 301F

Fターム (5件)：

5F044AA14 , 5F044CC02 , 5F044EE13 , 5F044FF02 , 5F044FF06

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-028839 出願人：NECエレクトロニクス株式会社
半導体パッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-226984 出願人：住友金属鉱山株式会社
半導体装置用ボンディングワイヤ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-193629 出願人：新日本製鐵株式会社

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