特許
J-GLOBAL ID：201303083769973509

電界効果トランジスタ

発明者：
神林 宏

神林 宏 について

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佐藤 義浩

佐藤 義浩 について

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新山 勇樹

新山 勇樹 について

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野村 剛彦

野村 剛彦 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 酒井 宏明 ,  田代 至男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-255711
公開番号（公開出願番号）：特開2013-058791
出願日： 2012年11月21日
公開日（公表日）： 2013年03月28日
要約：
【課題】高耐圧性をより確実に実現することができる電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】窒化物系化合物半導体からなる電界効果トランジスタであって、基板上に形成されたキャリア走行層と、前記キャリア走行層上に形成され、前記キャリア走行層とは反対の導電型を有し、前記キャリア走行層内部に到る深さまで形成されたリセス部によって分離したキャリア供給層と、前記分離した各キャリア供給層上に前記リセス部を挟んで形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記分離した各キャリア供給層上にわたって前記リセス部内における前記キャリア走行層の表面を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記リセス部において前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備え、前記リセス部の前記キャリア供給層上面からの深さが、前記キャリア供給層の層厚より大きく200nm以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物系化合物半導体からなる電界効果トランジスタであって、 基板上に形成されたキャリア走行層と、 前記キャリア走行層上に形成され、前記キャリア走行層とは反対の導電型を有し、前記キャリア走行層内部に到る深さまで形成されたリセス部によって分離したキャリア供給層と、 前記分離した各キャリア供給層上に前記リセス部を挟んで形成されたソース電極およびドレイン電極と、 前記分離した各キャリア供給層上にわたって前記リセス部内における前記キャリア走行層の表面を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、 前記リセス部において前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、 を備え、前記リセス部の前記キャリア供給層上面からの深さが、前記キャリア供給層の層厚より大きく200nm以下であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B
Fターム (39件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GR04 ,  5F102GV07 ,  5F102HC16 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BB02 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BE10 ,  5F140BF07 ,  5F140BF15 ,  5F140BF21 ,  5F140BF27 ,  5F140BF43 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK17 ,  5F140BK29 ,  5F140BK33 ,  5F140CB04 ,  5F140CE02
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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