特許
J-GLOBAL ID:201303085498247486
多孔性金属錯体、多孔性金属錯体の製造方法及びガス吸蔵材料
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (5件):
棚井 澄雄
, ▲廣▼保 直純
, 荒 則彦
, 加藤 広之
, 五十嵐 光永
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-261330
公開番号(公開出願番号):特開2013-112660
出願日: 2011年11月30日
公開日(公表日): 2013年06月10日
要約:
【課題】ガス吸蔵特性を有する新規な多孔性金属錯体を提供する。【解決手段】周期表第2族〜第13族から選択される1種の金属原子又はそのイオンと、下記式(1)で表され、配位基を有する芳香族化合物とを含み、金属原子又はそのイオンと、芳香族化合物が有する配位基との配位結合を有する多孔性金属錯体。[化1](P:置換基を有してもよい2価の芳香族複素環基、Q:置換基を有してもよいm価の芳香環炭化水素基又は置換基を有してもよいm価の芳香族複素環基、R:-CO2-、-SO3-、-PO42-又は-C≡N。m:3〜6の整数、n:0〜5の整数。ただし、複数存在するnの少なくとも1つは1以上の整数)。【選択図】なし
請求項(抜粋):
周期表第2族〜第13族から選択される1種の金属原子又はそのイオンと、
下記一般式(1)で表され、金属原子又はそのイオンに対して配位結合を形成可能な非共有電子対を有する配位基を備えた配位子と、を含み、
該金属原子又はそのイオンと該配位子の配位基との配位結合を有する多孔性金属錯体。
IPC (3件):
C07D 333/38
, B01J 20/22
, B01J 20/30
FI (3件):
C07D333/38
, B01J20/22 A
, B01J20/30
Fターム (43件):
4C023HA02
, 4G066AA53A
, 4G066AB03A
, 4G066AB03B
, 4G066AB07A
, 4G066AB07B
, 4G066AB09A
, 4G066AB09B
, 4G066AB11A
, 4G066AB11B
, 4G066AB16A
, 4G066AB16B
, 4G066AB19A
, 4G066AB19B
, 4G066AB24B
, 4G066BA22
, 4G066BA26
, 4G066BA36
, 4G066CA27
, 4G066CA35
, 4G066CA38
, 4G066CA39
, 4G066DA01
, 4G066FA03
, 4G066FA21
, 4G066FA34
, 4G066GA14
, 4H048AA01
, 4H048AA03
, 4H048AB80
, 4H048VA56
, 4H048VA66
, 4H048VA70
, 4H048VA80
, 4H048VA85
, 4H048VA86
, 4H048VB10
, 4H048VB90
, 4H050AA01
, 4H050AA03
, 4H050AB80
, 4H050WB13
, 4H050WB23
引用特許:
引用文献: