特許
J-GLOBAL ID：201303088164967851

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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坂倉 真之

坂倉 真之 について

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坂田 淳一郎

坂田 淳一郎 について

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津吹 将志

津吹 将志 について

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秋元 健吾

秋元 健吾 について

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細羽 みゆき

細羽 みゆき について

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及川 欣聡

及川 欣聡 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-249822
公開番号（公開出願番号）：特開2013-047849
出願日： 2012年11月14日
公開日（公表日）： 2013年03月07日
要約：
【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネル保護型を用い、かつ、画素用薄膜トランジスタの主要な部分を透光性材料で構成することにより、開口率を上げる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、画素電極と、を有し、 前記画素電極は、光を透過することができる機能を有し、 前記画素電極は、前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、 前記第1のトランジスタは、第1の導電層と、第2の導電層と、第3の導電層と、第1の半導体層と、を有し、 前記第1の半導体層は、酸化物半導体を有し、 前記第1の半導体層は、前記第1のトランジスタのチャネル形成領域を有し、 前記第1の導電層は、前記第1のトランジスタのゲートとなることができる機能を有し、 前記第1の導電層は、第1の絶縁層を介して前記第1の半導体層と重なる領域を有し、 前記第2の導電層は、前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方となることができる機能を有し、 前記第3の導電層は、前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方となることができる機能を有し、 前記第2のトランジスタは、第4の導電層と、第5の導電層と、第6の導電層と、第2の半導体層と、を有し、 前記第2の半導体層は、酸化物半導体を有し、 前記第2の半導体層は、前記第2のトランジスタのチャネル形成領域を有し、 前記第4の導電層は、前記第2のトランジスタのゲートとなることができる機能を有し、 前記第4の導電層は、前記第1の絶縁層を介して前記第2の半導体層と重なる領域を有し、 前記第5の導電層は、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方となることができる機能を有し、 前記第6の導電層は、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方となることができる機能を有する半導体装置であって、 酸化物を含む第2の絶縁層と、 酸化物を含む第3の絶縁層と、 第7の導電層と、を有し、 前記第2の絶縁層は、前記第2のトランジスタのチャネル形成領域と重なる領域を有し、 前記第3の絶縁層は、前記第2の半導体層の端部と接する領域を有し、 前記第5の導電層は、前記第3の絶縁層の上方に設けられ、 前記第6の導電層は、前記第3の絶縁層の上方に設けられ、 前記第7の導電層と、前記画素電極とは、同一の導電膜をエッチング加工することによって形成されたものであり、 前記第7の導電層は、前記第2の絶縁層の上方に設けられ、 前記第7の導電層は、前記第2のトランジスタのチャネル形成領域と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
G02F 1/136 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/167 ,  G02F 1/133
FI (7件)：
G02F1/1368 ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 612D ,  G02F1/167 ,  G02F1/133 550
Fターム (126件)：
2H092GA13 ,  2H092GA42 ,  2H092GA48 ,  2H092GA59 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB42 ,  2H092JB58 ,  2H092JB69 ,  2H092JB79 ,  2H092KA08 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA15 ,  2H092MA17 ,  2H092NA24 ,  2H092NA25 ,  2H092PA06 ,  2H193ZA04 ,  2H193ZF21 ,  2H193ZF31 ,  2H193ZF36 ,  2H193ZF44 ,  2H193ZP03 ,  2H193ZQ11 ,  2H193ZR12 ,  2K101AA04 ,  2K101BA02 ,  2K101BD61 ,  2K101BE71 ,  2K101EC08 ,  2K101EC63 ,  2K101EC82 ,  2K101ED13 ,  2K101EE02 ,  2K101EK35 ,  5F110AA04 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN50 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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