特許
J-GLOBAL ID:201303088723432084
電界効果トランジスタ構造
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-058507
公開番号(公開出願番号):特開2013-197596
出願日: 2013年03月21日
公開日(公表日): 2013年09月30日
要約:
【課題】移動度特性を向上させ、閾値電圧分布を改善できる電界効果トランジスタ構造及びこれを含む半導体装置並びに集積回路装置を提供する。【解決手段】本発明による電界効果トランジスタ構造は、基板上の素子分離膜と、前記基板から延長され、前記素子分離膜から突出したフィンとを有し、前記フィンは、第1濃度の不純物でドーピングされた閾値電圧調節領域と、前記第1濃度より低い濃度の第2濃度の不純物でドーピングされたキャリヤー領域を含む。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上の素子分離膜と、
前記基板から延長され、前記素子分離膜から突出したフィンとを有し、
前記フィンは、第1濃度の不純物でドーピングされた閾値電圧調節領域と、
前記第1濃度より低い濃度の第2濃度の不純物でドーピングされたキャリヤー領域を含むことを特徴とする電界効果トランジスタ構造。
IPC (5件):
H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 29/786
, H01L 21/823
, H01L 27/092
FI (5件):
H01L29/78 301X
, H01L29/78 618C
, H01L29/78 618E
, H01L29/78 618F
, H01L27/08 321C
Fターム (94件):
5F048AA08
, 5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BA14
, 5F048BA15
, 5F048BA16
, 5F048BB01
, 5F048BB02
, 5F048BB03
, 5F048BB09
, 5F048BB11
, 5F048BB12
, 5F048BC01
, 5F048BC02
, 5F048BC16
, 5F048BC18
, 5F048BD01
, 5F048BD04
, 5F048BD09
, 5F048BD10
, 5F048BG13
, 5F048DA23
, 5F110AA07
, 5F110AA08
, 5F110BB04
, 5F110CC10
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE01
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE08
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE32
, 5F110EE48
, 5F110FF01
, 5F110FF05
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG03
, 5F110GG04
, 5F110GG12
, 5F110GG19
, 5F110GG32
, 5F110GG34
, 5F110GG35
, 5F110GG42
, 5F110GG44
, 5F110HJ11
, 5F110NN02
, 5F110NN23
, 5F110NN40
, 5F110QQ19
, 5F140AA01
, 5F140AA06
, 5F140AB03
, 5F140AB04
, 5F140AC01
, 5F140AC28
, 5F140AC36
, 5F140BA01
, 5F140BA03
, 5F140BA05
, 5F140BA07
, 5F140BA16
, 5F140BB05
, 5F140BB13
, 5F140BB18
, 5F140BB19
, 5F140BC13
, 5F140BD11
, 5F140BD12
, 5F140BF03
, 5F140BF04
, 5F140BF10
, 5F140BF11
, 5F140BF13
, 5F140BF14
, 5F140BF15
, 5F140BF17
, 5F140BG04
, 5F140BG08
, 5F140BG11
, 5F140BG14
, 5F140BG36
, 5F140BG53
, 5F140BH06
, 5F140BH21
, 5F140BK05
, 5F140BK09
, 5F140BK18
, 5F140CB04
, 5F140CC03
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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