特許
J-GLOBAL ID：200903041412926238

半導体装置及びその製造方法

発明者：
横山 成之

横山 成之 について

, 
大橋 拓夫

大橋 拓夫 について

, 
内山 士郎

内山 士郎 について


出願人/特許権者：
エルピーダメモリ株式会社

エルピーダメモリ株式会社 について


代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-133413
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305827
出願日： 2006年05月12日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：
【課題】良好なサブスレッショルド特性や短チャネル抑制効果を損なわずに、高い閾値電圧を与えることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1導電型の半導体層が凸部として形成された半導体基板と、前記凸部の少なくとも一面上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記第1導電型と同じ導電型の不純物がドープされたゲート電極と、前記凸部と前記ゲート絶縁膜との界面に設けられ、前記第1導電型とは逆の第2導電型の不純物がドープされた不純物ドープ層と、を具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層が凸部として形成された半導体基板と、 前記凸部の少なくとも一部の上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記第1導電型と同じ導電型の不純物がドープされたゲート電極と、 前記凸部と前記ゲート絶縁膜との界面に設けられ、前記第1導電型とは逆の第2導電型の不純物がドープされた不純物ドープ層と、 を具備する 半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108
FI (2件)：
H01L29/78 301X ,  H01L27/10 671Z
Fターム (48件)：
5F083AD01 ,  5F083GA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA19 ,  5F083NA01 ,  5F140AA06 ,  5F140AA21 ,  5F140AA24 ,  5F140AA28 ,  5F140AA30 ,  5F140AA39 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BB05 ,  5F140BB06 ,  5F140BC06 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD10 ,  5F140BD19 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF38 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG27 ,  5F140BG32 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BG46 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH06 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BK02 ,  5F140BK12 ,  5F140BK13 ,  5F140BK26 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-369686   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
  • パルセータ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-105350   出願人：石川島播磨重工業株式会社
審査官引用 (12件)
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