特許
J-GLOBAL ID：201303089788812913

窒化物半導体基板の製造方法

発明者：
高曽根 徹

高曽根 徹 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  堀川 かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-212398
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016856
出願日： 2012年09月26日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：
【課題】低転位であり、特に、窒化物半導体基板に内在する応力を抑制させて、反りの少ない窒化物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】サファイア基板の(0001)面上に、第1の窒化物半導体パターンを形成し、該第1の窒化物半導体パターンを成長核として第2の窒化物半導体層を成長させ、少なくとも前記サファイア基板を除去することを含む窒化物半導体基板の製造方法であって、第1の窒化物半導体パターンは、平面形状が三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成される窒化物半導体基板の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
サファイア基板の(0001)面上に、第1の窒化物半導体パターンを形成し、該第1の窒化物半導体パターンを成長核として第2の窒化物半導体層を成長させ、 少なくとも前記サファイア基板を除去することを含む窒化物半導体基板の製造方法であって、 第1の窒化物半導体パターンは、平面形状が三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成される窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/32 ,  C23C 16/01
FI (3件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 186 ,  C23C16/01
Fターム (29件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045AF14 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045GH09 ,  5F045HA11 ,  5F045HA12 ,  5F045HA18 ,  5F141AA40 ,  5F141CA23 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (10件)
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