特許
J-GLOBAL ID：200903090202506580

窒化物半導体基板、及びその製造方法

発明者：
山田 孝夫

山田 孝夫 について

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清久 裕之

清久 裕之 について

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成田 准也

成田 准也 について

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前川 仁志

前川 仁志 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-195389
公開番号（公開出願番号）：特開2003-063895
出願日： 2001年06月27日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】酸化およびゴミの付着による汚染を抑制することにより結晶性が良好であり、かつ低転位である窒化物半導体基板、及びその成長方法を提供する。【解決手段】基板1上に、第1の窒化物半導体2を成長させ、第1の窒化物半導体2に凹凸を形成する工程と、気相成長させる反応装置内において、第1の窒化物半導体2の凹部に空洞を形成し、第1の窒化物半導体2上に第2の窒化物半導体3を形成させる工程とを有する窒化物半導体基板の成長方法とする。
請求項（抜粋）：
基板上に窒化物半導体層を有する窒化物半導体基板であって、基板上に、部分的に断面形状が凸型である空洞と、該凸型空洞の両横側に窒化物半導体核とを有し、該窒化物半導体核を成長起点とする窒化物半導体層の表面には転位密度1×107個/cm2以下の低転位領域を有することを特徴とする窒化物半導体基板。
IPC (5件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343 610
FI (5件)：
C30B 29/38 D ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 610
Fターム (37件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE11 ,  4G077DB08 ,  4G077EE05 ,  4G077EF03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TC17 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045EE17 ,  5F045HA02 ,  5F045HA12 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB20 ,  5F073CB22 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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