半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人前田特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-100007
公開番号（公開出願番号）：特開2013-191868
出願日： 2013年05月10日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：

【課題】優れた逆耐圧特性を有し、一素子だけで双方向スイッチ本体となり且つ高いゲート電圧が印加可能な半導体装置を実現できるようにする。【解決手段】半導体装置は、半導体層積層体13と第1のゲート電極18Aとの間に形成され、p型の導電性を有する窒化物半導体から構成される第1のコントロール層19Aと、半導体層積層体13と第2のゲート電極18Bとの間に形成され、p型の導電性を有する窒化物半導体から構成される第2のコントロール層19Bとを備えている。半導体層積層体13の最上層15は、第1の部分15aと、第1の部分15aよりも膜厚が薄い第2の部分15bとを有し、第1のコントロール層19A及び第2のコントロール層19Bは、第1の部分15aの上に形成され、第1のコントロール層19Aと第2のコントロール層19Bとの間において、半導体積層体15の最上層は、第2の部分15bである。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

基板の上に形成され、チャネル領域を有し且つ窒化物半導体からなる半導体により構成された半導体層積層体と、前記半導体層積層体の上に互いに間隔をおいて形成された第1の電極及び第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に形成された第1のゲート電極及び該第1のゲート電極と前記第2の電極との間に形成された第2のゲート電極と、前記半導体層積層体と前記第1のゲート電極との間に形成され、p型の導電性を有する窒化物半導体から構成される第1のコントロール層と、前記半導体層積層体と前記第2のゲート電極との間に形成され、p型の導電性を有する窒化物半導体から構成される第2のコントロール層とを備え、前記半導体層積層体の最上層は、第1の部分と、該第1の部分よりも膜厚が薄い第2の部分とを有し、前記第1のコントロール層及び前記第2のコントロール層は、前記第1の部分の上に形成され、前記第1のコントロール層と前記第2のコントロール層との間において、前記半導体積層体の最上層は、前記第2の部分である半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/337 , H01L 21/338 , H01L 29/808 , H01L 29/812 , H01L 27/098 , H01L 29/778 , H03K 17/687

FI (4件)：

H01L29/80 W , H01L29/80 C , H01L29/80 H , H03K17/687 G

Fターム (24件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR03 , 5F102GR09 , 5F102GV08 , 5J055AX44 , 5J055BX16 , 5J055DX12 , 5J055EY01 , 5J055EY07 , 5J055EY12 , 5J055EY17 , 5J055EY21 , 5J055GX01 , 5J055GX06 , 5J055GX07

引用特許：

出願人引用 (7件)

電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-165143 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭61-230381
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-054330 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (8件)

電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-165143 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭61-230381
特開昭61-230381

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