特許
J-GLOBAL ID：201303091056847190
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-104226
公開番号（公開出願番号）：特開2013-232559
出願日： 2012年04月27日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
要約：
【課題】オーミックコンタクト形成のための熱処理温度を下げて安価に良好な特性のデバイスを作製する。【解決手段】炭化珪素基板1の第一の主面にエピタキシャル層2を成長させ、炭化珪素基板1のエピタキシャル層2とは反対側の第二の主面にオーミック電極6を形成する。そして、第二の主面にオーミック電極6を形成する工程の前に、第二の主面にイオン注入を行い活性化させる。このイオン注入の工程は炭化珪素基板1に対する加熱を伴わずに行う。炭化珪素基板1は、4H-SiCもしくは6H-SiCを用い、加熱を伴わないイオン注入により、第二の主面と第二の主面にオーミック電極6として形成される金属膜との間に3C-SiCもしくは3C-SiCが混在した層を形成でき、低抵抗領域の形成を阻害せずに、コンタクト抵抗を低減させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素基板の第一の主面にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記炭化珪素基板の前記エピタキシャル層とは反対側の第二の主面に金属膜を形成する工程と、
前記第二の主面に金属膜を形成する工程の前に、前記第二の主面にイオン注入を行い活性化させる工程と、を含み、
前記イオン注入は前記炭化珪素基板に対する加熱を伴わずに行うことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28
, H01L 21/329
, H01L 29/47
, H01L 29/872
H01L21/28 A
, H01L29/48 P
, H01L29/48 D
4M104AA03
, 4M104BB05
, 4M104BB14
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104DD26
, 4M104DD37
, 4M104DD78
, 4M104FF02
, 4M104FF07
, 4M104FF17
, 4M104FF31
, 4M104GG03
, 4M104GG18
, 4M104HH15
