特許
J-GLOBAL ID:201303091679119226
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-165298
公開番号(公開出願番号):特開2013-062014
出願日: 2012年07月26日
公開日(公表日): 2013年04月04日
要約:
【課題】電流駆動能力がより小さなクロック信号生成回路を適用することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】nチャネル型トランジスタで構成されるスイッチ及び論理回路を有し、スイッチは導通状態又は非導通状態がクロック信号によって選択され、論理回路は、ブートストラップ回路と、入力信号が入力される入力端子と、反転入力端子と、出力端子とを有し、高電源線と出力端子との接続を反転入力端子に入力される信号によって制御し、低電源線と出力端子との接続を入力端子に入力される信号によって制御することによって、入力信号がローレベル電位の場合には、ブートストラップ回路を用いて出力端子の電位を上昇させることにより出力端子から高電源電位を出力し、トランジスタは、チャネルが形成される半導体層と、半導体層を挟んで上下に設けられた一対のゲート電極とを有し、一対のゲート電極の他方はソースと接続される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
スイッチと、導通状態となった前記スイッチを介して入力信号が入力される論理回路と、を有し、
前記スイッチと、前記論理回路を構成するトランジスタの全ては、nチャネル型トランジスタであり、
前記スイッチは、導通状態又は非導通状態がクロック信号によって選択され、
前記論理回路は、ブートストラップ回路と、前記入力信号が入力される入力端子と、前記入力信号の論理値が反転した信号が入力される反転入力端子と、出力端子と、を有し、高電源線から高電源電位が供給され、低電源線から前記高電源電位よりも低い低電源電位が供給され、前記高電源線と前記出力端子との電気的接続を前記反転入力端子に入力される信号によって制御し、前記低電源線と前記出力端子との電気的接続を前記入力端子に入力される信号によって制御することによって、前記入力信号がハイレベル電位の場合には、前記出力端子から前記低電源電位を出力し、前記入力信号がローレベル電位の場合には、前記ブートストラップ回路を用いて前記出力端子の電位を上昇させることにより前記出力端子から前記高電源電位を出力し、
前記nチャネル型トランジスタは、チャネルが形成される半導体層と、前記半導体層を挟んで設けられた一対のゲート電極とを有し、前記一対のゲート電極の一方は前記半導体層と第1のゲート絶縁層を介して重畳し、前記一対のゲート電極の他方は、前記半導体層と第2のゲート絶縁層を介して重畳し、前記一対のゲート電極の他方は、ソースと電気的に接続される半導体装置。
IPC (6件):
G11C 19/28
, H01L 29/786
, H03K 19/20
, G11C 19/00
, G09G 3/36
, G09G 3/20
FI (8件):
G11C19/28 D
, H01L29/78 613Z
, H01L29/78 618B
, H03K19/20
, G11C19/00 J
, G09G3/36
, G09G3/20 622E
, G09G3/20 623H
Fターム (87件):
5C006BF03
, 5C006BF04
, 5C006BF06
, 5C006BF24
, 5C006FA47
, 5C080AA06
, 5C080AA10
, 5C080BB05
, 5C080DD09
, 5C080DD26
, 5C080HH09
, 5C080JJ02
, 5C080JJ03
, 5C080JJ06
, 5C080KK02
, 5C080KK07
, 5C080KK08
, 5C080KK23
, 5C080KK43
, 5C080KK47
, 5F110AA07
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110BB03
, 5F110CC01
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD04
, 5F110DD05
, 5F110DD07
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE05
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE09
, 5F110EE11
, 5F110EE14
, 5F110EE30
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110GG01
, 5F110GG06
, 5F110GG07
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG16
, 5F110GG17
, 5F110GG25
, 5F110GG32
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110GG51
, 5F110GG52
, 5F110GG55
, 5F110GG57
, 5F110GG58
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK07
, 5F110HK21
, 5F110HK22
, 5F110NN03
, 5F110NN22
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN34
, 5F110QQ06
, 5F110QQ09
, 5F110QQ19
, 5J042AA10
, 5J042CA14
, 5J042CA15
, 5J042DA01
引用特許:
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (9件)
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半導体装置およびこれを用いた表示駆動装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-039765
出願人:カシオ計算機株式会社
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バッファ、レベルシフト回路及び表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-265272
出願人:セイコーエプソン株式会社
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半導体装置の作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-255472
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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インバータ回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-044063
出願人:株式会社ジーティシー
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特開平4-028097
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特開昭58-147209
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特開昭58-147234
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-212929
出願人:カシオ計算機株式会社
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論理回路及び半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-229460
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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