放射線を用いた有機物からのグラフェンの製造方法及びこれにより製造されたグラフェン

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：長門侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-262768
公開番号（公開出願番号）：特開2013-193953
出願日： 2012年11月30日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：

【課題】本発明は、放射線を用いた有機物からのグラフェンの製造方法及びこれに製造されたグラフェンに関する。【解決手段】本発明は、高分子またはオリゴマーなどの有機物を溶媒に溶解して有機物溶液を製造した後、基板上部に塗布して有機物薄膜を形成し、放射線の照射により有機物薄膜に架橋構造を導入してから炭化工程によりグラフェンを製造する方法に関するものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板に有機物薄膜を形成する段階と、前記有機物薄膜の上部に放射線を照射して前記有機物薄膜を架橋する工程と、前記架橋された有機物薄膜を炭化することでグラフェンを形成する工程と、を含むことを特徴とする、グラフェンの製造方法。

IPC (2件)：

C01B 31/02 , H01B 13/00

FI (3件)：

C01B31/02 101Z , H01B13/00 503Z , H01B13/00 503D

Fターム (22件)：

4G146AA01 , 4G146AB07 , 4G146AC16B , 4G146AC20B , 4G146AC27B , 4G146AD22 , 4G146AD23 , 4G146AD28 , 4G146BA13 , 4G146BA16 , 4G146BA22 , 4G146BA32 , 4G146BA42 , 4G146BA45 , 4G146BB01 , 4G146BB16 , 4G146BC03 , 4G146BC23 , 4G146BC34B , 4G146BC37B , 5G323AA03 , 5G323CA04

引用特許：

審査官引用 (3件)

炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-160969 出願人：浦項工科大学校産学協力団
グラファイトリボンおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-070392 出願人：大阪瓦斯株式会社
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-048251 出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (3件)

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