特許
J-GLOBAL ID：201303092317932510
マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
特許業務法人 津国
, 津国 肇
, 柳橋 泰雄
, 伊藤 佐保子
, 生川 芳徳
, 石岡 隆
, 柴田 明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-037038
公開番号（公開出願番号）：特開2013-171273
出願日： 2012年02月23日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
要約：
【課題】基板から見て斜め上方にターゲットが配置されているスパッタリング法による成膜装置において、付着物の基板の表面への落下に起因するパーティクルの発生量を低減し、基板上に成膜された薄膜の欠陥を低下させる。【解決手段】成膜室内の下方に設けられた回転ステージに前記基板を載置して、ターゲットをそのスパッタ面が前記基板の主表面に対向し、かつ斜め上方となる位置の前記成膜室内に配置し、前記基板の主表面上にスパッタリング法によって前記薄膜を形成する薄膜形成工程を有し、前記成膜室内に、前記基板の主表面の垂直上方領域の少なくとも一部に、前記成膜室の上方壁の少なくとも一部を覆うように上方シールドが配置され、前記上方シールドの前記基板に対向する面と、前記ターゲットのスパッタ面との間でなす角度が、90度以上135度以下であることを特徴とするマスクブランクの製造方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の主表面上に、薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、
成膜室内の下方に設けられた回転ステージに前記基板を載置して、ターゲットをそのスパッタ面が前記基板の主表面に対向し、かつ斜め上方となる位置の前記成膜室内に配置し、前記基板の主表面上にスパッタリング法によって前記薄膜を形成する薄膜形成工程を有し、
前記成膜室内に、前記基板の主表面の垂直上方領域の少なくとも一部に、前記成膜室の上方壁の少なくとも一部を覆うように上方シールドが配置され、
前記上方シールドの前記基板に対向する面と、前記ターゲットのスパッタ面との間でなす角度が、90度以上135度以下であることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
2H095BB25
, 2H095BC04
, 4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA43
, 4K029BA54
, 4K029BA58
, 4K029CA06
, 4K029DC03
, 4K029DC34
