位相シフトマスクブランク、フォトマスクブランク、並びにそれらの製造装置及び製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤村康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-277260
公開番号（公開出願番号）：特開2002-090977
出願日： 2000年09月12日
公開日（公表日）： 2002年03月27日
要約：

【要約】【課題】光半透過膜における露光波長の半分程度より大きい径であるパーティクルとピンホールの合計数が、1平方センチあたり0.1個以下である位相シフトマスクブランクを製造できる製造装置及び製造方法等を提供する。【解決手段】ハーフトーン型位相シフトマスクブランク製造用のDCマグネトロンスパッタ装置において、例えば、ターゲット面を重力方向に対して下向きに配置し、全面エロージョンカソードを用い、ターゲット端部の角の部分5a及びアースシールドの角の部分を曲面加工(R加工)し、ターゲット端部5b、露出しているバッキングプレート面4b及びアースシールド12の表面を荒らし、アースシールド12をターゲット面dより上部(バッキングプレート側)に配置する。

請求項（抜粋）：

透明基板上に、パターンを形成するための薄膜を有するフォトマスクブランクの製造方法であって、前記薄膜をスパッタ成膜する際に、ターゲット面を重力方向に対し下向きとし基板表面を上向きとし、かつ、前記基板の周縁部が成膜されないように遮蔽することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。

IPC (4件)：

G03F 1/08 , C23C 14/34 , G03F 7/20 502 , H01L 21/027

FI (7件)：

G03F 1/08 A , G03F 1/08 Z , C23C 14/34 B , C23C 14/34 C , C23C 14/34 T , G03F 7/20 502 , H01L 21/30 502 P

Fターム (18件)：

2H095BA01 , 2H095BA07 , 2H095BB03 , 2H095BB25 , 2H095BB31 , 2H097CA13 , 2H097GB00 , 2H097JA02 , 4K029BA41 , 4K029CA06 , 4K029DA10 , 4K029DC03 , 4K029DC05 , 4K029DC12 , 4K029DC20 , 4K029DC21 , 4K029DC39 , 4K029HA01

引用特許：

審査官引用 (9件)

フォトマスクブランクスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-113472 出願人：ホーヤ株式会社
スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-364974 出願人：日本電気株式会社
基板上にアモルファス水素添加炭素膜を堆積する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-330046 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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