半導体装置の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-009852
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175717
出願日： 2013年01月23日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：

【課題】酸化物半導体膜の低抵抗化を十分に行うことができ、歩留まりを向上させることができるトランジスタの作製方法を提供することである。【解決手段】表面の一部が露出された酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、少なくともゲート電極の側面に接するサイドウォール絶縁膜とを形成し、少なくとも酸化物半導体膜及びサイドウォール絶縁膜上に金属元素を含む膜を形成した後、窒素雰囲気下で加熱処理をして、金属元素を含む膜の酸化物半導体膜に接する領域を酸化し、酸化した領域を有する金属元素を含む膜を除去して、酸化物半導体膜の酸化した領域を有する金属元素を含む膜と接する領域を露出するトランジスタの作製方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面の一部が露出された酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、少なくとも前記ゲート電極の側面に接するサイドウォール絶縁膜とを形成し、前記露出された酸化物半導体膜、前記ゲート電極及び前記サイドウォール絶縁膜上に金属元素を含む膜を形成した後、窒素雰囲気下で加熱処理をして、前記金属元素を含む膜の前記酸化物半導体膜に接する領域を酸化し、前記酸化した領域を有する金属元素を含む膜を除去して、前記酸化物半導体膜の一部を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (16件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/11 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 27/105 , H01L 27/08 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , G02F 1/136 , H01L 51/50

FI (25件)：

H01L29/78 627C , H01L29/78 616L , H01L29/78 621 , H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/78 619A , H01L29/78 627F , H01L29/78 617U , H01L29/78 617T , H01L27/10 321 , H01L27/10 381 , H01L27/10 434 , H01L27/10 615 , H01L27/10 671C , H01L27/10 671Z , H01L29/78 371 , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L27/10 441 , H01L27/08 331E , H01L27/08 321C , H01L27/08 321D , H01L27/08 321E , G02F1/1368 , H05B33/14 A

Fターム (191件)：

2H092JA25 , 2H092JA36 , 2H092JA47 , 2H092KA08 , 2H092KA10 , 2H092KB24 , 2H092MA18 , 2H092MA25 , 2H092MA27 , 2H092MA37 , 2H092NA28 , 2H092NA29 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC33 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107FF15 , 4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA05 , 4M104AA07 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104DD04 , 4M104DD16 , 4M104DD26 , 4M104DD28 , 4M104DD36 , 4M104DD37 , 4M104DD65 , 4M104DD71 , 4M104DD75 , 4M104DD92 , 4M104EE05 , 4M104EE09 , 4M104FF02 , 4M104FF04 , 4M104FF08 , 4M104FF09 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF21 , 4M104FF26 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG16 , 4M104HH04 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 4M104HH16 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB11 , 5F048BB13 , 5F048BC01 , 5F048BC03 , 5F048BC06 , 5F048BC15 , 5F048BC18 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048CB03 , 5F048DA09 , 5F048DA27 , 5F083AD02 , 5F083AD10 , 5F083AD14 , 5F083AD69 , 5F083BS01 , 5F083BS13 , 5F083BS27 , 5F083EP22 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083EP76 , 5F083EP77 , 5F083GA02 , 5F083GA06 , 5F083GA10 , 5F083GA19 , 5F083GA21 , 5F083GA24 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083HA06 , 5F083HA08 , 5F083JA05 , 5F083JA12 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA58 , 5F083LA02 , 5F083LA21 , 5F083MA06 , 5F083PR05 , 5F083PR06 , 5F083PR07 , 5F083PR09 , 5F083PR12 , 5F083PR22 , 5F083PR29 , 5F083PR36 , 5F083PR39 , 5F083PR40 , 5F083ZA13 , 5F083ZA14 , 5F083ZA15 , 5F083ZA21 , 5F101BA17 , 5F101BB17 , 5F101BD07 , 5F101BD30 , 5F101BD34 , 5F101BD40 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BF02 , 5F101BF03 , 5F101BF05 , 5F101BF09 , 5F101BH03 , 5F101BH09 , 5F101BH15 , 5F101BH16 , 5F101BH18 , 5F101BH19 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110CC06 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD08 , 5F110DD17 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE11 , 5F110EE15 , 5F110EE32 , 5F110EE45 , 5F110FF05 , 5F110FF28 , 5F110FF36 , 5F110GG12 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ16 , 5F110HK03 , 5F110HK06 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HM02 , 5F110HM17 , 5F110NN34 , 5F110NN40 , 5F110NN74 , 5F110PP02 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (7件)

トランジスタとこれを含む半導体素子及びそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-119199 出願人：三星電子株式会社
半導電性金属酸化物薄膜の強誘電性メモリトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-230168 出願人：シャープ株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-245035 出願人：ソニー株式会社

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