特許
J-GLOBAL ID：201303093893260974
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 洋一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-336130
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156299
特許番号：特許第4862207号
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型低不純物濃度のドリフト層を形成する第1導電型低不純物濃度のFZ基板を用い、該FZ基板の第1主面側に形成された素子活性領域及びその第1電極と、前記FZ基板の第2主面側を所定の厚さまで削り落とした前記ドリフト層の最表側に形成された高不純物濃度層及び第2電極とを備えた半導体装置において、前記高不純物濃度層が最大濃度点を深部とするプロトン又は酸素ドナーを不純物として形成された半導体装置の製造方法であって、前記FZ基板の前記第1主面側に前記素子活性領域及び前記第1電極を形成し、前記FZ基板の前記第1導電型低不純物濃度である第2主面側を所定の厚さまで削り落とした後、前記FZ基板の第1導電型低不純物濃度の第2主面からプロトン照射又は酸素イオン照射を行い、アニール処理を施して前記第2主面から前記高不純物濃度層と前記FZ基板の前記第1導電型低不純物濃度層との境界までの前記高不純物濃度層をプロトン又は酸素ドナーを不純物として形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/329 ( 200 6.01)
, H01L 29/861 ( 200 6.01)
, H01L 21/265 ( 200 6.01)
, H01L 21/322 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/91 A
, H01L 29/91 D
, H01L 21/265 W
, H01L 21/322 Z
, H01L 29/78 653 C
, H01L 29/78 658 A
, H01L 29/78 658 H
