窒化物半導体素子ならびにその製法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：久野琢也 , 来間清志 , 篠良一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-141735
公開番号（公開出願番号）：特開2013-219391
出願日： 2013年07月05日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
要約：

【課題】完成した層構造中の引張応力が減少した、シリコン表面上の窒化物半導体素子の層構造の製法ならびに窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】Si表面を有する基板を提供する工程、Si表面上にAl含有窒化物核形成層を堆積する工程、任意にAl含有窒化物バッファ層を窒化物核形成層上に堆積する工程、マスキング層を窒化物核形成層又は、存在する場合には、第一の窒化物バッファ層上に堆積する工程、Ga含有の第一の窒化物半導体層をマスキング層上に堆積する工程を有し、第一の窒化物半導体層の堆積工程において、初めに別々の微結晶が成長し、前記微結晶が融合層厚より上で一緒に成長し、かつ成長方向に対して垂直に一緒に成長された窒化物半導体層の層平面中で少なくとも0.16μm2の平均表面積を占めるようにマスキング層を堆積する、Si表面上の窒化物半導体素子の層構造製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

シリコン表面上に窒化物半導体素子の層構造を製造する方法において、次の工程: ・シリコン表面を有する基板を提供する工程: ・基板のシリコン表面上にアルミニウム含有窒化物核形成層を堆積する工程; ・任意に、アルミニウム含有窒化物バッファ層を窒化物核形成層上に堆積する工程; ・マスキング層を窒化物核形成層又は、存在する場合には、第一の窒化物バッファ層上に堆積する工程; ・ガリウム含有の第一の窒化物半導体層をマスキング層上に堆積する工程を有し、その際、第一の窒化物半導体層の堆積工程において、初めに別々の微結晶が成長し、前記微結晶が融合層厚より上で一緒に成長し、かつ、前記微結晶が成長方向に対して垂直に一緒に成長された窒化物半導体層の層平面中で少なくとも0.16μm2の平均表面積を占めるように、マスキング層を堆積する、前記方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/32 , H01L 33/06

FI (3件)：

H01L21/205 , H01L33/00 186 , H01L33/00 112

Fターム (23件)：

5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AF03 , 5F045AF13 , 5F045BB07 , 5F045BB11 , 5F045CA07 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA69 , 5F045EB15 , 5F045EE18 , 5F141AA40 , 5F141CA04 , 5F141CA05 , 5F141CA40 , 5F141CA62 , 5F141CA74 , 5F141CA77

引用特許：

審査官引用 (6件)

窒化物系III-V族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体発光素子の製造方法ならびに半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-257606 出願人：ソニー株式会社
窒化物系発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-030048 出願人：三洋電機株式会社
III族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-370437 出願人：豊田合成株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Bright, Crack-Free InGan/GaN Light Emitters on Si(111)

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