特許
J-GLOBAL ID：201303096678734611
ISFET装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清原 義博
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-532285
公開番号（公開出願番号）：特表2013-539049
出願日： 2011年10月10日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
要約：
サンプルのイオン濃度の変化を検知するための半導体装置と、当該半導体装置を使用する方法が開示されている。前記装置は、共通のフローティング・ゲートに結合された複数の電界効果トランジスタ(FET)と、前記サンプルに露出し、かつ前記フローティング・ゲートに結合された、イオン感応性層を備える。前記フローティング・ゲートに結合された他の入力部が存在し得る。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
サンプルのイオン濃度の変化を検知するための半導体装置であって、
共通のフローティング・ゲートに結合された複数の電界効果トランジスタ(FET)と、
前記サンプルに露出し、かつ前記フローティング・ゲートに結合された、イオン感応性層を備えてなる半導体装置。
IPC (1件)：
FI (3件)：
G01N27/30 301X
, G01N27/30 301V
, G01N27/30 301R
