特許
J-GLOBAL ID：201303097713220720
フォトダイオードの製造方法及びフォトダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-006069
公開番号（公開出願番号）：特開2013-065912
出願日： 2013年01月17日
公開日（公表日）： 2013年04月11日
要約：
【課題】シリコンフォトダイオードであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードの製造方法及びフォトダイオードを提供すること。【解決手段】フォトダイオードPD5は、第1半導体基板21と、第1半導体基板21に比較してn型の不純物濃度が高い第2半導体基板23と、を備え、裏面入射型である。第1半導体基板21と第2半導体基板23とは、表面21b及び表面23bが貼着面とされて、貼着されている。第1半導体基板21は、表面21a側にP+型半導体領域3が形成されている。第2半導体基板23の表面23aにおける少なくともP+型半導体領域3に対向する領域には、不規則な凹凸10が形成されている。【選択図】図32
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体からなり、互いに対向する第1主面及び第2主面を有すると共に光入射面とされる前記第2主面に対向する前記第1主面側に第2導電型の半導体領域が形成されたシリコン基板を準備する工程と、
前記シリコン基板の前記第2主面における少なくとも第2導電型の前記半導体領域に対向する領域に、パルスレーザ光を照射して、不規則な凹凸を前記第2主面に光学的に露出させて形成する工程と、
不規則な凹凸を形成する前記工程の後に、前記シリコン基板の前記第2主面側に、前記シリコン基板よりも高い不純物濃度を有する第1導電型のアキュムレーション層を形成する工程と、
第1導電型の前記アキュムレーション層を形成する前記工程の後に、前記シリコン基板を熱処理する工程と、を備え、
前記第2主面から入射した光が前記シリコン基板内を進む、裏面入射型のフォトダイオードを製造することを特徴とするフォトダイオードの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/10 A
, H01L31/02 A
5F049MA02
, 5F049MB03
, 5F049NA10
, 5F049PA14
, 5F049QA06
, 5F049QA20
, 5F049SE05
, 5F049SS03
, 5F049WA01
, 5F088AA02
, 5F088AB03
, 5F088CB14
, 5F088FA05
, 5F088GA04
, 5F088LA01
