表示装置、表示装置の作製方法および電子機器

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-097851
公開番号（公開出願番号）：特開2013-225620
出願日： 2012年04月23日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：

【課題】額縁サイズが小さく、高性能かつ信頼性の高い表示装置を提供する。【解決手段】駆動回路を構成するトランジスタの半導体膜として、単結晶半導体基板から分離した単結晶半導体膜を用い、駆動回路のトランジスタを、高い駆動性能を備えた薄膜構造とする。そして、駆動回路と画像表示部間に設けた配線により両者の電気的接続を行うことで、少なくとも一部が駆動回路と重なる状態に駆動回路上に画像表示部が位置する構造とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ベース基板と、前記ベース基板上の走査線駆動回路および信号線駆動回路と、前記走査線駆動回路および前記信号線駆動回路を覆う第1の層間膜と、前記第1の層間膜上に設けられ、前記走査線駆動回路および前記信号線駆動回路と電気的に接続された配線と、前記配線を覆う第2の層間膜と、前記第2の層間膜上に設けられ、前記配線により前記走査線駆動回路および前記信号線駆動回路と電気的に接続された、複数の画素をマトリクス状に備える画像表示部と、を有し、前記走査線駆動回路および前記信号線駆動回路の少なくとも一方は前記画像表示部と重なり、前記配線は、少なくとも一部が前記画像表示部と重なり、前記走査線駆動回路および前記信号線駆動回路の備えるトランジスタの活性層が、単結晶半導体基板から分離した単結晶半導体薄膜を用いて構成されることを特徴とする表示装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 27/08 , H01L 21/336 , G02F 1/134 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , H05B 33/02

FI (8件)：

H01L29/78 612B , H01L27/08 331E , H01L29/78 612C , H01L29/78 626C , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H05B33/02

Fターム (114件)：

2H092GA59 , 2H092JA26 , 2H092JB56 , 2H092KA03 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092KB25 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA06 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA27 , 2H092NA21 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC36 , 3K107CC43 , 3K107DD39 , 3K107EE04 , 3K107FF06 , 3K107GG53 , 5F048AC04 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB04 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BF11 , 5F048CB01 , 5F110AA03 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110BB11 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD11 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM17 , 5F110HM19 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN78 , 5F110QQ17

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜デバイス、薄膜デバイスの製造方法、集積回路、マトリクス装置、電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-333382 出願人：セイコーエプソン株式会社, 学校法人龍谷大学
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-239474 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-033194 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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