半導体装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-104229
公開番号（公開出願番号）：特開2013-232561
出願日： 2012年04月27日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜の絶縁破壊耐量を向上させ、ゲート絶縁膜の信頼性を向上させることができる半導体装置を提供すること。【解決手段】n+型SiC基板のおもて面にn型SiC層が形成され、n型SiC層の内部に選択的に複数のp型領域が形成される。n型SiC層およびp型領域の表面にわたってp型SiC層が形成される。p型SiC層の内部にn型SiC層につながるようにn型領域が形成される。p型SiC層の内部に、n型領域と離れて、かつ互いに接するn+型ソース領域とp+型コンタクト領域とが形成される。p型SiC層内部のn型領域の幅LJFETが0.8μm〜3.0μmの範囲内となり、n型領域の不純物濃度が1.0×1016cm-3〜5.0×1016cm-3の範囲内となるようにn型領域を形成する。これにより、ゲート酸化膜に大きな電界がかかることがなくなるため、ゲート絶縁膜の破壊耐量が向上し、ゲート絶縁膜の信頼性が向上する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

第1導電型炭化珪素基板と、前記第1導電型炭化珪素基板の表面に形成された、前記第1導電型炭化珪素基板よりも低不純物濃度の第1導電型炭化珪素層と、前記第1導電型炭化珪素層の内部に選択的に形成された第2導電型領域と、前記第1導電型炭化珪素層および前記第2導電型領域の表面に形成された第2導電型炭化珪素層と、前記第2導電型炭化珪素層の内部に選択的に形成され、深さ方向に前記第2導電型炭化珪素層を貫通し前記第1導電型炭化珪素層に接する第1導電型領域と、前記第2導電型炭化珪素層の内部に形成された第1導電型ソース領域と、前記第2導電型炭化珪素層の内部に形成され、かつ前記第1導電型ソース領域の第1導電型領域側に対して反対側に配置された第2導電型高濃度領域と、前記第2導電型高濃度領域および第1導電型ソース領域に電気的に接続されたソース電極と、前記第1導電型ソース領域から前記第1導電型領域に跨って、第2導電型炭化珪素層の前記第1導電型ソース領域と前記第1導電型領域とに挟まれた部分の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第1導電型炭化珪素基板の裏面に形成されたドレイン電極と、を備え、前記第1導電型領域の不純物濃度は、1.0×1016cm-3〜5.0×1016cm-3の範囲内にあり、前記第1導電型領域の幅は、0.8μm〜3.0μmの範囲内にあることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 29/12

FI (3件)：

H01L29/78 652J , H01L29/78 652T , H01L29/78 652D

引用特許：

審査官引用 (4件)

炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-280836 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
炭化珪素半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-026458 出願人：三菱電機株式会社
炭化ケイ素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-154962 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

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